​​Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова появился в результате объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники и Института радиофизики и электроники. С тех пор ИФП СО РАН остается признанным за рубежом и в России лидером в области создания и производства новых высокотехнологичных материалов, интегратором крупных научно-производственных проектов и коммуникационной площадкой для ученых, преподавателей, представителей индустриального и бизнес-сообщества.

«Официальным днем рождения института считается 24 апреля 1964 года, когда вышло постановление президиума Академии наук СССР об объединении двух организаций, но в действительности история учреждения началась раньше. В начале 1962 года в Академгородок приехал председатель Совета Министров СССР Анатолий Иванович Косыгин, возглавлявший правительственную комиссию по проверке Сибирского отделения. Он высоко оценил огромную работу, проведенную М. А. Лаврентьевым, отметив, что спектр научной деятельности институтов очень широк, но не хватает современных направлений, в частности “транзисторной и полупроводниковой тематики”. Третьего августа 1962 года вышло распоряжение Совета Министров СССР о создании в Сибирском отделении Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники. Его директором стал член-корреспондент АН СССР Анатолий Васильевич Ржанов, работавший в то время в Физическом институте им. П. Н. Лебедева Академии наук СССР», — рассказывает советник РАН член-корреспондент РАН Игорь Георгиевич Неизвестный, который был назначен на должность заместителя директора по научной работе ИФТТиПЭ 7 августа 1962 года.
 
Основными направлениями работы нового института стали исследования поверхности полупроводников, тонких полупроводниковых пленок, физических основ полупроводниковых приборов. «В то время никто не мог детализировать, что представляет из себя поверхность твердого тела, было лишь понимание, что это некоторый слой, граничный для двух сред, например: полупроводник — диэлектрик, полупроводник — внешняя среда. Методов изучения поверхности полупроводников было в это время немного. Благодаря деятельности Анатолия Васильевича и всего коллектива института ИФП СО РАН обладает сейчас наибольшими и наивысшими компетенциями по исследованиям поверхностей — по большому счету, мы знаем о них всё», — подчеркивает главный научный сотрудник ИФП СО РАН академик Александр Леонидович Асеев.
 
Современное название — Институт физики полупроводников — появилось в 1964 году после объединения ИРЭ СО АН и ИФТТиПЭ СО АН. До этого в Советском Союзе были только отделы физики полупроводников в нескольких институтах страны. ИФП стал первой научной организацией такого профиля. «Нужно отметить, что, хотя в названиях двух институтов есть одинаковое слово — “электроника”, — это, пожалуй, всё, что у нас было общего. Наша организация специализировалась на другой проблематике, за несколько лет до слияния одним из прорывных направлений являлась лазерная тематика. Теоретики ИРЭ занимались вопросами, далекими от твердого тела и полупроводников: например, в год объединения я защитил диссертацию по квантовой механике, по столкновениям атомов и молекул. Поэтому, естественно, мы волновались: как войдем в новый коллектив и начнем осваивать новую тематику. Во многом благодаря мудрости и доброжелательности Анатолия Васильевича Ржанова это прошло сравнительно гладко, установились рабочие контакты с лабораториями, хотя поворот в смене направлений исследований был довольно резкий», — говорит главный научный сотрудник ИФП СО РАН академик Александр Владимирович Чаплик.
 
Один из флагманских проектов института — разработки в области молекулярно-лучевой эпитаксии. Создание технологий эпитаксии (наращивания монокристаллических слоев вещества с помощью молекулярных пучков на подложку, что позволяет получать тонкие однородные монокристаллические слои любого типа проводимости и сопротивления) началось в ИФП СО РАН в 1970-х годах под руководством Сергея Ивановича Стенина.
 
«По выращиванию гетероэпитаксиальных полупроводниковых структур мы входим в число лидеров в России и в мире. У нас поставлена технология создания наногетероструктур на основе соединений А2В6, А3В5 и германий — кремний. Причем именно наш институт задает уровень мировых научных исследований в области выращивания соединений А2В6», — говорит директор ИФП СО РАН академик Александр Васильевич Латышев. Результаты исследований прикладного характера пользуются спросом у таких крупных предприятий, как Госкорпорация «Роскосмос», Федеральное агентство воздушного транспорта «Росавиация», Акционерное общество «Рособоронэкспорт». 
 
«Мы придумали короткую производственную цепочку для того, чтобы заинтересовать нашими разработками индустриальных партнеров: в ИФП СО РАН создаются технологии и новые материалы для конечных электронных изделий. Например, пластины “кремний на изоляторе” для экстремальной, радиационно стойкой электроники, работающей в космосе, пластины для СВЧ-электроники, в которой используются материалы типа А3В5, фоточувствительный материал для инфракрасных матриц, необходимых в производстве тепловизоров. Мы — единственные в России, кто делает матрицы размером 2 000 на 2 000 пикселей», — отмечает Александр Латышев.
 
Коллективу института приходится преодолевать и технологические сложности, неизбежно возникающие при стремительном развитии электронной промышленности. «При создании пластин “кремний на изоляторе” или соединений типа А2В6, А3В5 специалисты ИФП СО РАН работают на подложках диаметром 76 миллиметров, этого достаточно для исследовательских целей, но в промышленности используются стомиллиметровые подложки. Нам нужно переходить на подложки бОльшего диаметра, соответственно, обновлять технологическую базу, на что требуются немалые средства. Недавно вместе с АО “Экран — оптические системы” мы инициировали проект, в рамках которого они поставляют нам новейшее оборудование на арендованные площади института. На нем мы будем, во-первых, разрабатывать технологии, с которыми “Экран” сможет выйти на глобальный рынок, а во-вторых, я надеюсь, что этот проект позволит нам производить пластины диаметром 100—150 мм», — говорит директор ИФП СО РАН.
 
Важность регулярного переоснащения приборной базы института подчеркивает и Александр Асеев: «Даже в 1990-е и 2000-е годы у ИФП СО РАН была возможность закупать оборудование и развивать новые тематики, так, в частности, появилась однофотоника, включая лазеры с вертикальным резонатором, квантовая криптография, разрабатывались нано- и биосенсоры. Возникли новые направления в области фундаментальных исследований: системы на квантовых точках — спинтроника (задачи управления спином в полупроводниковых структурах), плазмоника и другие. Регулярное переоснащение прекратилось в 2013 году в связи с реформой РАН, однако для института приборная база имеет ключевое значение — ведь среднее время работы оборудования, требуемого для полупроводниковых исследований и производства электроники, — 4—5 лет». 
 
Будущее ИФП СО РАН Александр Латышев связывает с исследованием низкоразмерных систем, квантовых эффектов и технологий: «Очевидно, что в микроэлектронике происходит постоянное уменьшение размеров полупроводниковых структур. Например, характерные размеры транзистора могут быть величиной пять нанометров. Возникают новые задачи в способах передачи данных между компонентами электронных схем. Сейчас активно развивается радиофотоника — область исследований, возникшая из слияния радиоэлектроники, волновой оптики, СВЧ-оптоэлектроники. В институте в рамках этого направления разрабатываются системы фотодиодов, модуляторов, системы генерации оптического излучения, чтобы на их основе делать работающие элементы: память, процессор и другие, где передача сигнала осуществляется по оптическим каналам».
 
Развитие любой организации связано с приходом новых сотрудников, поэтому увеличение притока молодежи в институт — одна из первоочередных задач. «Мы активно привлекаем талантливых ребят, но это непросто, сейчас многое поменялось, и я думаю, что возможность получения служебного жилья молодыми сотрудниками помогла бы в решении этой задачи. Наличие таких квартир позволяет поддерживать и академическую мобильность, которая критически важна для профессионального роста молодого научного сотрудника», — говорит Александр Латышев. Студенты — потенциальные будущие сотрудники ИФП СО РАН — приходят преимущественно с профильных кафедр: физики полупроводников Новосибирского государственного университета и кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники Новосибирского государственного технического университета.
 
«Наша базовая кафедра в НГУ готовит первоклассные научные кадры, но далеко не все они попадают в ИФП СО РАН, потому что благодаря своей высокой квалификации они востребованы и в других научных и производственных компаниях, даже в нефтяной отрасли. Привлечь амбициозных молодых людей, которые не только умны, но и ориентированы на получение практического результата, очень сложно. Это удается благодаря тому, что в ИФП СО РАН всегда есть сотрудники, занимающиеся обучением и подготовкой студентов, руководящие их дипломными работами, и таким образом в коллектив института приходят те, кто готов связать с ним свою жизнь», — объясняет заведующий лабораторией физико-технологических основ создания приборов на основе соединений А2В6 кандидат физико-математических наук Георгий Юрьевич Сидоров. 
 
«Я считаю, что в Институте физики полупроводников и в российской науке в целом молодые люди могут реализовать себя в области создания новых продуктов и технологий. У ИФП СО РАН есть и потенциал, и научная база для того, чтобы довести разработки до практического уровня реализации — мелкосерийного, серийного, и создать востребованные изделия. Для меня это один из важнейших аспектов деятельности человека, карьерной или профессиональной. Именно поэтому я выбрал ИФП СО РАН, поскольку считаю главным для себя в жизни — реализоваться через создание нового. Хочется, чтобы тот импульс, который был придан институту при его создании и усилен в последующие годы, сохранялся и развивался», — говорит Георгий Сидоров. 
 
Как отметил Игорь Георгиевич Неизвестный, признаком стабильной работы института является то, что, несмотря на все трудности, с которыми ИФП СО РАН столкнулся за последние тридцать лет, численность его сотрудников не уменьшилась — их было и остается более тысячи человек.
 
Институт с уверенностью смотрит в будущее — его проекты встречают поддержку как индустриального, так и академического сообщества: лаборатория физико-химических основ создания функциональных полупроводниковых наносистем под руководством А. В. Латышева вошла в число победителей конкурса Президентской программы РНФ на поддержку лабораторий мирового уровня. В рамках реализации нацпроекта «Наука» созданы две новые молодежные лаборатории, задачами которых стали разработка нанотехнологических решений для создания новых материалов и их применения, а также создание методов оптического измерения объектов небольших размеров. Центр полупроводниковых нанотехнологий — проект ИФП СО РАН, подготовленный для программы развития «Академгородок 2.0», — востребован большинством научных организаций Новосибирского научного центра. Основная идея: создать центр коллективного пользования не только с аналитическим, а в первую очередь с высокотехнологичным оборудованием, что позволит ИФП СО РАН и другим участникам обеспечить трансфер технологий от науки в промышленность. Готовность поддержать и в том числе софинансировать проект выразили индустриальные партнеры института.
 
Более чем полувековой опыт работы ИФП СО РАН подтверждает, что его наукоемкая продукция и разработки всегда востребованы, поэтому можно с уверенностью сказать, что институт будет оставаться одной из ведущих организаций СО РАН и всей российской науки.
 
Надежда Дмитриева

Источники

От электрона к фотону: ИФП СО РАН - 55
Наука в Сибири (sbras.info), 13/05/2019
Институту физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН - 55 лет
Сибирское отделение Российской академии наук (sbras.ru), 13/05/2019

Похожие новости

  • 04/01/2019

    Юбилей академика Александра Васильевича Латышева

    ​Александр Васильевич Латышев родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области. В 1981 году окончил Новосибирский госуниверситет по специальности «физика». Далее — в Институте физики полупроводников им.
    526
  • 17/03/2017

    Сибирские физики создадут точнейшие атомные часы

    Ученые из Института лазерной физики Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирского государственного университета и из Новосибирского государственного технического университета разработали сверхстабильный лазер для атомных часов, который позволит российским физикам создать устройства для измерения времени, не уступающие в точности западным аналогам, говорится в статье, опубликованной в Journal of Physics: Conf.
    1960
  • 12/11/2015

    Странное очарование кварков

    ​В рамках проекта "Инновации: достижения и проблемы" газета "Честное слово" продолжает цикл публикаций о проблемах развития инновационных проектов. Сегодня мы расскажем о новых инновационных разработках Института ядерной физики СО РАН.
    2098
  • 19/11/2015

    "XXXII Сибирский теплофизический семинар", посвящённый 80-летию со дня рождения академика В.Е. Накорякова

    ​C 19 по 20 ноября 2015 года Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН проводит Всероссийскую конференцию "XXXII Сибирский теплофизический семинар". Сибирский теплофизический семинар традиционно проводится один раз в два года в Новосибирске на базе Института теплофизики им.
    2202
  • 28/12/2016

    Издательство Elsevier опубликовало книгу новосибирских учёных

    В издательстве Elsevier вышла книга, посвященная полупроводниковым структурам в области физики. В создании сборника приняли участие сибирские ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, а также их коллеги из России и стран Европы, Америки, юго-восточной Азии.
    1174
  • 18/10/2017

    Российские ученые напечатали из графена элементы электронных устройств будущего

    Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН разработали метод печати надежных устройств для гибкой электроники на 2D-принтере. Для этого они получили новый диэлектрический материал — фторированный графен.
    912
  • 14/01/2016

    ИФП СО РАН - в числе лучших научных организаций России

    ​Об этом и других достижениях 2015 года директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН член-корреспондент РАН Александр Васильевич Латышев рассказал в ходе традиционного научного семинара, проходящего в ИФП в начале года.
    2464
  • 22/08/2018

    Учеными впервые запечатлены флуктуации при квантовом фазовом переходе

    Физики впервые смогли напрямую зафиксировать локальную динамику системы, которая совершает квантовый фазовый переход, — аналог таких процессов, как конденсация и кристаллизация. В результате ученые пронаблюдали квантовый аналог пузырей пара, которые появляются в воде во время кипения.
    589
  • 19/04/2019

    «Академический час для школьников»: лекция «Полупроводниковые наноструктуры для современной электроники»

    ​19 апреля в 14:00 в Сибирском государственном университете телекоммуникаций и информатики состоялась лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Полупроводниковые наноструктуры для современной электроники».
    108
  • 19/05/2017

    Энергия молодости как движущая сила науки

    Так же, как российское могущество прирастает Сибирью, могущество Сибирского отделения прирастает молодыми учеными. Они приходят в науку разными путями, но затем все эти тропинки сливаются в одну дорогу, ведущую в будущее.
    1671