В издательстве Elsevier вышла книга, посвященная полупроводниковым структурам в области физики. В создании сборника приняли участие сибирские ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, а также их коллеги из России и стран Европы, Америки, юго-восточной Азии.

Сборник выпущен под редакцией академиков Александра Васильевича Латышева, Александра Леонидовича Асеева и члена-корреспондента РАН Анатолия Васильевича Двуреченского. В книге рассказывается о современных достижениях физики конденсированных сред, полупроводников и диэлектриков, низкоразмерных систем, а также физико-химических основ опто- и наноэлектроники. 

Новые подходы в физике и технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, приведенные в монографии, обеспечили создание таких материалов  как двумерный полуметалл и топологический изолятор.  Это новой класс квантовых материалов с уникальными свойствами, который получил широкую известность в связи с Нобелевской премией по физике в 2016 году. 

Использование квантовых эффектов в полупроводниковых системах пониженной размерности представляет основной тренд развития электроники нового поколения. Как следствие, возникает необходимость  получения совершенных кристаллов, тонких пленок, многослойных гетеросистем и структур пониженной размерности. В монографии представлен анализ основных физических закономерностей роста и дефектообразования в таких системах с целью направленного управления этими процессами при эпитаксиальном росте, радиационном облучении ионами и электронами, термическом отжиге. Кроме того, практически значимыми являются примеры разработки  приборных структур: фотоприемников инфракрасного излучения, однофотонных излучателей, элементов памяти, трехмерных подвешенных структур, оптического мультиплексора.

В монографии также описаны исследования атомных процессов и электронных явлений на поверхности полупроводников и границах раздела полупроводниковых структур, квантовых эффектов в структурах пониженной размерности, прежде всего, в эпитаксиальных сверхрешетках и гетероструктурах с квантовыми ямами, нитями и точками. 

Книга представляет интерес для научных работников, аспирантов и студентов старших курсов вузов, специализирующихся в области наноматериалов, электронных и оптических явлений в наноструктурах, нано- и оптоэлектронике. Кроме того, она была бы полезна иностранным студентам физического факультета Новосибирского государственного университета, так как в её написании приняли участие практически все преподаватели кафедры физики полупроводников.  

Издаваемые в Elsevier книги имеют очень высокий рейтинг и являются настольными для многих научных групп. Представленный сборник существенно повышает узнаваемость российских ученых, способствует увеличению престижа российской науки и представляет результаты исследований, проводимых в СО РАН, мировому сообществу. Так, Александр Асеев презентовал монографию на Общем собрании СО РАН, отметив её значимость в череде важных достижений 2016-ого года, сделанных сибирскими учёными.

 

Advances in Semiconductor Nanostructures : Growth, Characterization, Properties and Applications / Edited by: Alexander V. Latyshev, Anatoliy V. Dvurechenskii and Alexander L. Aseev. - Elsevier, 2016. - 527 p. - Table of Contents.

 

Источники

Мировое издательство опубликовало книгу сибирских ученых
Наука в Сибири (sbras.info), 27/12/2016

Похожие новости

  • 14/05/2019

    От электрона к фотону: ИФП СО РАН — 55

    ​​Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова появился в результате объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники и Института радиофизики и электроники. С тех пор ИФП СО РАН остается признанным за рубежом и в России лидером в области создания и производства новых высокотехнологичных материалов, интегратором крупных научно-производственных проектов и коммуникационной площадкой для ученых, преподавателей, представителей индустриального и бизнес-сообщества.
    549
  • 14/10/2015

    "Фотоника 2015" проводится в Год Света

    ​В новосибирском Академгородке начала работу российская конференция с международным участием по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники. Глава Сибирского отделения РАН академик Александр Леонидович Асеев напомнил участникам научного форума, что 2015 год объявлен Генеральной Ассамблеей ООН международным годом света и световых технологий.
    2239
  • 04/01/2019

    Юбилей академика Александра Васильевича Латышева

    ​Александр Васильевич Латышев родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области. В 1981 году окончил Новосибирский госуниверситет по специальности «физика». Далее — в Институте физики полупроводников им.
    755
  • 06/05/2017

    Победы Сибирского отделения РАН: от сканеров таможенного досмотра до создания новых материалов

    В преддверие Дня Победы ученые представили разработки институтов Сибирского отделения Российской академии науки и промышленных корпораций в сфере оборонного и гражданского назначения. Председатель Сибирского отделения РАН, академик Александр Асеев подчеркнул, что «решение сложных проблем оборонно-промышленного комплекса, его диверсификация — то есть производство гражданской продукции, — невозможно без опоры на достижения фундаментальной науки.
    2027
  • 19/04/2019

    «Академический час для школьников»: лекция «Полупроводниковые наноструктуры для современной электроники»

    ​19 апреля в 14:00 в Сибирском государственном университете телекоммуникаций и информатики состоялась лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Полупроводниковые наноструктуры для современной электроники».
    353
  • 21/07/2016

    Александр Латышев: власти должны понимать, что менталитет ученого совсем иной

    ​Наверное, пришло время, когда надо перестать читать фантастические романы - они уже не способны поражать наше воображение. Чтобы удовлетворить свою фантазию, почувствовать приближение чего-то необычного, а подчас даже и потрогать его, следует отправиться на очередную выставку достижений науки и побеседовать с учеными.
    2692
  • 26/10/2016

    Вручены дипломы премии имени Валентина Коптюга

    На заседании Президиума Сибирского отделения РАН награждены лауреаты премии имени академика Валентина Афанасьевича Коптюга 2016 года, которая присуждается российско-белорусским научным коллективам за совместные работы.
    1528
  • 14/01/2016

    ИФП СО РАН - в числе лучших научных организаций России

    ​Об этом и других достижениях 2015 года директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН член-корреспондент РАН Александр Васильевич Латышев рассказал в ходе традиционного научного семинара, проходящего в ИФП в начале года.
    2858
  • 24/04/2018

    Академический час для школьников: лекция «Нанотехнологии вокруг нас»

    ​​25 апреля в 15.00 в Малом зале Дома ученых СО РАН для старшеклассников состоится лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Нанотехнологии вокруг нас». Александр Леонидович Асеев — российский физик, академик РАН, доктор физико-математических наук, в настоящее время главный научный сотрудник Института физики полупроводников им.
    1105
  • 22/08/2018

    Учеными впервые запечатлены флуктуации при квантовом фазовом переходе

    Физики впервые смогли напрямую зафиксировать локальную динамику системы, которая совершает квантовый фазовый переход, — аналог таких процессов, как конденсация и кристаллизация. В результате ученые пронаблюдали квантовый аналог пузырей пара, которые появляются в воде во время кипения.
    981