​На XIV Российской конференции по физике полупроводников рассматриваются фундаментальные проблемы этой научной отрасли, включая самые современные тренды: квантовые эффекты в полупроводниках, физику систем с экстремальными свойствами, нанофотонику.

 
Один из организаторов мероприятия — Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН — акцентировал внимание научного сообщества и на прикладном аспекте, подготовив выставку своих разработок, нашедших применение в промышленности.
 
«Наша конференция — площадка, на которой идет дискуссия об элементной базе электроники будущего. Многие обсуждаемые вопросы в данный момент имеют только фундаментальные приложения, но их практическое применение — вопрос завтрашнего дня. Например, сейчас активно развиваются связи между электроникой и фотоникой, что вызвано необходимостью обрабатывать большие объемы информации так же быстро, как происходит их передача при помощи оптоволокна. Серия докладов на конференции затрагивает эту проблематику», — отметил директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН академик Александр Васильевич Латышев.
 
В этом году мероприятие собрало 352 участника из Москвы, Санкт-Петербурга, Нижнего Новгорода, Екатеринбурга, Черноголовки, Саранска, Красноярска и Новосибирска. С приглашенным и пленарным докладами выступят профессор университета Сан-Пауло (Бразилия) Геннадий Гусев, профессор Дортмундского университета (Германия) Манфред Байер. 
 
«На конференции широко представлены исследования в области физики полупроводников, которые ведутся в России и в других странах. Надо отметить, что по некоторым направлениям — теории полупроводников, теории конденсированного состояния — работы российских физиков задают вектор развития для мирового научного сообщества. За пальму первенства в нашей стране соревнуются несколько основных научных организаций полупроводниковой тематики, ИФП СО РАН — одна из них. Особенный интерес у специалистов вызывают топологические изоляторы (вещества, являющиеся диэлектриками в объеме, но проводящие ток по поверхности. — Прим. ред.), у них удивительные и очень интересные транспортные свойства. Такие структуры производят только в ИФП СО РАН и в Вюрцбургском университете (Германия)», — прокомментировал ученый секретарь программного комитета конференции ведущий научный сотрудник Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН член-корреспондент РАН Михаил Михайлович Глазов. 
 
По словам исследователя, уровень докладов конференции постоянно растет, а за последние пять лет резко увеличилось количество молодых участников.
 
Организаторами пятидневной научной встречи выступают ИФП СО РАН, Новосибирский государственный университет, Научный совет РАН по физике полупроводников, Отделение физических наук РАН при содействии Министерства науки и высшего образования РФ, Российского фонда фундаментальных исследований, курорта-отеля «Сосновка».
 
Пресс-служба ИФП СО РАН
 

Похожие новости

  • 04/01/2019

    Юбилей академика Александра Васильевича Латышева

    ​Александр Васильевич Латышев родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области. В 1981 году окончил Новосибирский госуниверситет по специальности «физика». Далее — в Институте физики полупроводников им.
    843
  • 21/07/2016

    Александр Латышев: власти должны понимать, что менталитет ученого совсем иной

    ​Наверное, пришло время, когда надо перестать читать фантастические романы - они уже не способны поражать наше воображение. Чтобы удовлетворить свою фантазию, почувствовать приближение чего-то необычного, а подчас даже и потрогать его, следует отправиться на очередную выставку достижений науки и побеседовать с учеными.
    2745
  • 17/12/2019

    Всероссийская конференция «Физика ультрахолодных атомов» проходит в Новосибирске

    Мероприятие, проходящее в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, объединяет специалистов, занимающихся проблемами лазерного охлаждения и спектроскопии ультрахолодных атомов. Практические применения последних включают создание атомных часов, квантового компьютера, инерциальных сенсоров, используемых для автономной навигации, когда нет доступа к внешним источникам пространственной информации.
    333
  • 28/12/2016

    Издательство Elsevier опубликовало книгу новосибирских учёных

    В издательстве Elsevier вышла книга, посвященная полупроводниковым структурам в области физики. В создании сборника приняли участие сибирские ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, а также их коллеги из России и стран Европы, Америки, юго-восточной Азии.
    1472
  • 30/09/2019

    XIV Российская конференция по физике полупроводников получила высокую оценку экспертов

    ​В сентябре 2019 года Институт физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН стал основным организатором XIV Российская конференция по физике полупроводников. Впервые за время существования мероприятия был сделан акцент на прикладном направлении: ИФП СО РАН подготовил выставку своих разработок, нашедших применение в промышленности.
    361
  • 14/05/2019

    От электрона к фотону: ИФП СО РАН — 55

    ​​Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова появился в результате объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники и Института радиофизики и электроники. С тех пор ИФП СО РАН остается признанным за рубежом и в России лидером в области создания и производства новых высокотехнологичных материалов, интегратором крупных научно-производственных проектов и коммуникационной площадкой для ученых, преподавателей, представителей индустриального и бизнес-сообщества.
    696
  • 23/08/2019

    Академик Александр Латышев: эволюция научных школ невозможна без движения и даже турбуленции

    С самого своего рождения микро- и наноэлектроника развивается такими бешеными темпами, как никакая другая отрасль. И все это происходит буквально на наших глазах. К примеру, каждые два года мы в принципе должны выбрасывать свои сотовые телефоны и покупать новые, потому что элементная база реально меняется в два раза.
    683
  • 29/10/2018

    Академик Александр Латышев назначен директором ИФП СО РАН

    ​23 октября приказом Минобрнауки России на должность директора Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН назначен академик Александр Латышев.
    719
  • 07/02/2018

    «Экран-оптические системы» будет работать по технологиям ИФП СО РАН

     Институт физики полупроводников им А. В. Ржанова СО РАН и АО «Экран-оптические системы» подписали соглашение о сотрудничестве, в рамках которого в институт будет поставлено промышленное оборудование для производства полупроводниковых гетероструктур — необходимого компонента электронной базы современных телекоммуникационных систем, систем связи и цифровой экономики.
    1303
  • 05/11/2019

    В Новосибирске пройдет конференция «Физика ультрахолодных атомов»

    ​16-18 декабря 2019 года в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск) пройдет конференция «Физика ультрахолодных атомов - 2019». Всероссийская конференция "Физика ультрахолодных атомов" является ежегодным научным форумом, имеющим целью обсуждение новых теоретических и экспериментальных результатов в области лазерного охлаждения атомов и ионов, оптических стандартов частоты, ультрахолодных Бозе- и Ферми-газов, нелинейной лазерной спектроскопии.
    343