начало 09/09/2019
окончание 13/09/2019

​С 9 по 13 сентября 2019 года ИФП СО РАН будет проводить XIV Российскую конференцию по физике полупроводников.  

Конференция посвящена фундаментальным проблемам физики полупроводников.

Основные разделы программы:

  1. Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей заряда, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение.
  2. Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
  3. Гетероструктуры, сверхрешетки, одномерные системы: структурные и оптические свойства, электронный транспорт.
  4. Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные и оптические свойства, туннелирование, локализация, фононы, плазмоны, квантовый эффект Холла, корреляционные эффекты.
  5. Нульмерные системы (квантовые точки, нанокристаллы): энергетический спектр, оптические свойства, туннельный транспорт.
  6. Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм.
  7. Примеси и дефекты (объемные полупроводники и квантово-размерные структуры): примеси с мелкими и глубокими уровнями, магнитные примеси, структурные дефекты, неупорядоченные полупроводники.
  8. Высокочастотные явления в полупроводниках (СВЧ и терагерцовый диапазон).
  9. Углеродные и графеноподобные наноматериалы, монослои дихалькогенидов переходных металлов, перовскиты, органические полупроводники, молекулярные системы.
  10. Фотонные кристаллы, микрорезонаторы и метаматериалы. Нанофотоника.
  11. Полупроводниковые приборы и устройства: технология, методы исследования, наноприборы.
  12. Нано- и оптомеханика.
  13. Топологические изоляторы и полуметаллы Вейля.

Организаторы

Федеральное государственное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Национальный исследовательский новосибирский государственный университет

Отделение физических наук РАН

 

Место проведения конференции и проживания участников - курорт-отель "Сосновка", расположенный около Академгородка, в сосновом бору на берегу Бердского залива.

Сайт конференции 

program-semicond2019.pdf

Похожие новости

  • 19/04/2019

    «Академический час для школьников»: лекция «Полупроводниковые наноструктуры для современной электроники»

    ​19 апреля в 14:00 в Сибирском государственном университете телекоммуникаций и информатики состоялась лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Полупроводниковые наноструктуры для современной электроники».
    218
  • 08/01/2019

    Гонка квантовых компьютеров и лечение рака: ведущие российские ученые выделили главные исследования года

    ​​Сжатие информации, гонка квантовых компьютеров, борьба с раком и постижение Арктики - российские академики по нашей просьбе выделили наиболее, на их взгляд, прорывные научные результаты 2018 года. Квантовые компьютеры Академик РАН, экс-председатель Сибирского отделения РАН, физик Александр Асеев: - Я бы выделил три направления, которые «выстрелили» в этом году в области электроники.
    1018
  • 14/01/2016

    ИФП СО РАН - в числе лучших научных организаций России

    ​Об этом и других достижениях 2015 года директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН член-корреспондент РАН Александр Васильевич Латышев рассказал в ходе традиционного научного семинара, проходящего в ИФП в начале года.
    2636
  • 31/07/2018

    Владимир Путин подписал Указ о награждении государственными наградами Российской Федерации

    ​24 июля 2018 г. Президент Российской Федерации Владимир Путин подписал Указ № 449 «О награждении государственными наградами Российской Федерации». Президентом принято решение: наградить медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» I степени Михно Ирину Моисеевну, директора муниципального автономного общеобразовательного учреждения города Новосибирска «Вторая Новосибирская гимназия».
    540
  • 09/09/2016

    Академику Багаеву Сергею Николаевичу исполняется 75 лет

    ​Сергей Николаевич Багаев родился 9 сентября 1941 г. в Новосибирске. Окончил Новосибирский государственный университет в 1964 г. С 1965 по 1978 г. - стажер-исследователь, младший научный сотрудник, старший научный сотрудник, заведующий лабораторией Института физики полупроводников СО АН СССР.
    3155
  • 09/02/2019

    Губернатор Андрей Травников вручил награды заслуженным новосибирским учёным

    ​Губернатор Андрей Травников принял участие в церемонии чествования учёных региона, посвященной Дню российской науки. Глава региона обратился к участникам собрания с приветственным словом, вручил знаки отличия «За заслуги перед Новосибирской областью», «Заслуженный деятель науки», Почётные грамоты Новосибирской области, Почётные грамоты и Благодарности Губернатора Новосибирской области, Благодарственные письма Губернатора.
    559
  • 10/11/2016

    Сергей Меняйло посетил ИФП СО РАН

    ​Полномочный представитель Президента Российской Федерации в Сибирском федеральном округе Сергей Меняйло в новосибирском Академгородке ознакомился с разработками Института физики полупроводников им. А.
    1082
  • 17/01/2018

    Российская конференция и школа молодых ученых (с участием иностранных ученых) «Комбинационное рассеяние – 90 лет исследований»

    Конференция «КР-90» посвящена 90-летию открытия комбинационного рассеяния света и будет проводиться с 28 мая по 1 июня 2018 г. в Новосибирске, на базе Института физики полупроводников имени А.
    998
  • 14/08/2019

    Физический институт РАН получил максимальный грант в 2019 году

    Физический институт имени Лебедева Российской академии наук (РАН) получил максимальный грант Министерства науки и высшего образования РФ в размере более 280 млн рублей на обновление приборной базы в рамках нацпроекта "Наука".
    198
  • 24/04/2018

    Академический час для школьников: лекция «Нанотехнологии вокруг нас»

    ​​25 апреля в 15.00 в Малом зале Дома ученых СО РАН для старшеклассников состоится лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Нанотехнологии вокруг нас». Александр Леонидович Асеев — российский физик, академик РАН, доктор физико-математических наук, в настоящее время главный научный сотрудник Института физики полупроводников им.
    969