​​Институт физики полупроводников им. академика А.В. Ржанова СО РАН объявил традиционный конкурс научных работ молодых ученых на стипендии ИФП СО РАН.

 
В конкурсе могут участвовать:
  • молодые специалисты, защитившие магистерскую диссертацию в текущем году.
  • аспиранты (в том числе, аспиранты НГУ, НГТУ НЭТИ, проводящие исследования в лабораториях ИФП СО РАН).
  • стажеры-исследователи.
  • инженеры, принимающие участие в исследовательской работе;
  • научные сотрудники.
Возраст участников не должен превышать 33 лет на момент рассмотрения кандидатур конкурсной комиссией. Крайний срок подачи документов — 6 ноября 2020 г.

 
Конкурс работ молодых учёных ИФП СО РАН состоится 10 ноября 2020 г. в онлайн-формате.

 
Всего выделяется 30 стипендий. Из них 6 повышенных — три имени академика А.В. Ржанова и три имени члена-корреспондента РАН К. К. Свиташева. Стипендии присуждаются сроком на два года, решение о финансировании второго года принимается по результатам рассмотрения отчетов о работе в первый год.

 
Подробнее об условиях конкурса.

 
Мы спросили получатели стипендий прошлых лет, как правильно подготовиться к конкурсу.

 
Алексей Петров, аспирант ИФП СО РАН:

 
«Стипендия ИФП приходит всегда вовремя, в отличие от аспирантской стипендии. Это существенная надбавка, если сравнивать с окладом. Подготовка заняла 2—3 недели. Получить стипендию непросто, если ты аспирант первого года и только начал работать над новой темой, тогда может быть недостаточно наработок, и результаты могут быть «сыроваты». Рекомендации: не надо строить грандиозных планов исследований, не все может получиться реализовать. Нужно ставить реальные задачи и четко излагать мотивацию исследований, для чего они проводятся».

 
Людмила Басалаева, младший научный сотрудник, получала стипендию 2 раза: 

 
«Это хорошая финансовая поддержка, особенно для аспирантов. Мотивирует продолжать исследования. Подготовка занимает не меньше недели. Получить стипендию сложно, особенно когда участвуешь первый раз. Рекомендации: выступление на конкурсе стипендий ИФП — это хорошая тренировка публичных выступлений. Хорошая проверка на стрессоустойчивость, т.к. вопросы задают разные и может разгореться дискуссия».

 
Кирилл Свит, инженер 1 категории.

 
«Подготовка занимает 2 недели, за стипендию высокая конкуренция. Рекомендации: важно рассказать свой доклад понятно для аудитории, грамотно сформулировать цель и задачи исследований, рассказать путь решения задач. Многое также зависит от темы исследований».​​

 
Тимур Малин, ведущий инженер ИФП СО РАН, четырехкратный победитель конкурса, один раз присуждена повышенная стипендия имени К.К. Свиташева.

 
«Во-первых, стипендия ИФП — это ежемесячная прибавка к зарплате, во-вторых, это опыт публичных выступлений и возможность познакомиться с работами молодых коллег.
Как правило, подготовка к конкурсу — это переупаковка самого важного/яркого результата за два года работы, которая начинается с момента объявления конкурса. Сложность получения стипендии зависит от конкурса на место, от состава участников и того, с какими результатами они приходят. Могут быть соперники из сильных исследовательских подразделений: таких как группы под руководством Артура Григорьевича Погосова или Дмитрия Харитоновича Квона. Рекомендации: нужно подготовить доклад, отрепетировать выступление перед коллегами. Главное — хорошо разбираться в своей теме, устранить как можно больше пробелов в знаниях и в областях, сопутствующих тематике доклада. Стоит уделить внимание оформлению презентации: например, посмотреть обучающее видео по подготовке презентации — расстановке акцентов, компоновке слайдов и цветовых решений и т.п. Важно сохранять спокойствие, отвечая на вопросы»​.
 

Источники

ИФП СО РАН объявил конкурс стипендий для молодых ученых
Новосибирский государственный технический университет (nstu.ru), 26/10/2020

Похожие новости

  • 04/01/2019

    Юбилей академика Александра Васильевича Латышева

    ​Александр Васильевич Латышев родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области. В 1981 году окончил Новосибирский госуниверситет по специальности «физика». Далее — в Институте физики полупроводников им.
    1196
  • 28/01/2020

    «Открытую лабораторную» проведут в День российской науки

    ​8 февраля состоится четвертая по счету просветительская акция «Открытая лабораторная». Каждый желающий сможет проверить свою картину мира с точки зрения передовых естественно-научных знаний. Поучаствовать в «Лабе-2020» можно будет как офлайн, так и онлайн на сайте laba.
    1663
  • 05/02/2020

    Институт физики полупроводников СО РАН приглашает на «Открытую лабораторную»

    Международная научно-просветительская акция «Открытая лабораторная» пройдет в Новосибирске 8 февраля на десяти площадках, одна из которых — Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Каждый желающий, старше семи лет, сможет проверить свой багаж научных знаний, ответив на вопросы увлекательного теста.
    765
  • 30/12/2019

    Квантовый алгоритм на основе ультрахолодных атомов

    ​Новосибирские физики провели исследование квантовых логических операций на основе холодных атомов и изучили оригинальные схемы квантовых вентилей, что имеет значение для построения элементной базы квантового компьютера.
    1063
  • 21/05/2019

    «Академический час для школьников»: лекция «Космические технологии полупроводниковых структур»

    ​22 мая в 15:00 в Выставочном центре СО РАН состоится лекция д.ф.-м.н. Олега Петровича Пчелякова «Космические технологии полупроводниковых структур». ​Пчеляков Олег Петрович, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий Отделом роста полупроводниковых пленок Института физики полупроводников им.
    654
  • 10/06/2020

    Новосибирские физики смогли захватить одиночный атом и сфотографировать его

    ​​Ученые Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирского государственного университета и Новосибирского государственного технического университета смогли удержать одиночный атом рубидия в оптическом пинцете в течение сорока секунд.
    2352
  • 18/10/2017

    Российские ученые напечатали из графена элементы электронных устройств будущего

    Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН разработали метод печати надежных устройств для гибкой электроники на 2D-принтере. Для этого они получили новый диэлектрический материал — фторированный графен.
    1547
  • 30/10/2020

    Прикоснуться к живой истории: в ИФП СО РАН рассказали об академике Ржанове

    ​В Институте физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН прошло торжественное заседание Ученого совета, посвященное столетию со дня рождения основателя Института, академика Анатолия Васильевича Ржанова.
    409
  • 16/07/2020

    ИФП СО РАН: подробности о деятельности подразделений и перспективах для молодых сотрудников

    ​Принять новых сотрудников готовы двадцать семь научных подразделений института, среди которых две молодежные лаборатории ― ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики и нанотехнологий и наноматериалов.
    799
  • 14/05/2019

    От электрона к фотону: ИФП СО РАН — 55

    ​​Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова появился в результате объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники и Института радиофизики и электроники. С тех пор ИФП СО РАН остается признанным за рубежом и в России лидером в области создания и производства новых высокотехнологичных материалов, интегратором крупных научно-производственных проектов и коммуникационной площадкой для ученых, преподавателей, представителей индустриального и бизнес-сообщества.
    1351