​Принять новых сотрудников готовы двадцать семь научных подразделений института, среди которых две молодежные лаборатории ― ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики и нанотехнологий и наноматериалов. Аспиранты ИФП СО РАН занимаются перспективными исследованиями в области физики твердого тела, осваивают технологии создания полупроводниковых приборов, работают на самом современном оборудовании. В рамках программы обновления приборной базы в ИФП СО РАН в 2020 году появятся установки, которые есть пока лишь в нескольких российских и зарубежных научных центрах. Это спектрометр для исследования фотоэмиссии с угловым и спиновым разрешением; приборный комплекс, совмещающий атомно-силовой микроскоп и рамановский спектрометр; установка атомно-слоевого осаждения металлов и диэлектриков. 

Желающим поступить в аспирантуру необходимо сдать экзамены до 15 сентября и выбрать руководителя из числа научных сотрудников института. Аспиранты, получая стипендию, трудоустраиваются на исследовательские должности, администрация помогает получить общежитие, или выплачивается частичная компенсация аренды жилья. Благодаря конкурентному научному уровню работ, которые ведут молодые исследователи, они выезжают на зарубежные стажировки, регулярно становятся победителями конкурсов на получение стипендий и премий, руководят проектами РНФ и РФФИ, участвуют в международных проектах, публикуются в научных журналах первого квартиля. Ежегодно ИФП СО РАН проводит собственный конкурс стипендий для молодых ученых. 

Детально узнать о процедуре поступления, договориться о возможности пообщаться с будущими руководителями аспирантов и задать все интересующие вопросы можно, позвонив по телефону 7(383)333-14-74, +7(383)333-25-19, или отправив письмо по адресу smagina@isp.nsc.ru. 

Подробности о деятельности подразделений и перспективах для молодых сотрудников читайте ниже: рассказывают руководители трех лабораторий ИФП СО РАН

Лаборатория ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики 

«Мы занимаемся разработкой новых способов оптического измерения сверхмалых объектов и установлением оптических свойств органических и неорганических наноструктур методами наноспектроскопии. Изучаемые объекты ― тонкие полупроводниковые и органические пленки, нанокристаллы и кластеры ― основа современных и перспективных электронных приборов. Чтобы менять их свойства и получать требуемые для будущих приборов, нужны неразрушающие методы контроля. Их сейчас практически нет, поскольку дифракционный предел не позволяет «увидеть» объект величиной меньше одной десятитысячной сантиметра. Мы разрабатываем такие методы, которые дают возможность обойти это ограничение, в частности, используя уникальную установку фирмы Horiba, в которой совмещены атомно-силовой микроскоп и рамановский спектрометр. Принцип ее действия в том, что под луч лазерного излучения спектрометра «устанавливается» игла атомно-силового микроскопа, в результате на острие иглы генерируется плазмон, который позволяет «осветить» лишь узкую область объекта в несколько нанометров, что в сотни раз меньше дифракционного предела. Таким образом, можно идентифицировать не только отдельные кластеры и молекулы вещества, но и ориентацию молекул, их распределение по площади, механические напряжения в веществе, его состав на очень небольшом участке», - рассказывает заместитель директора ИФП СО РАН по научной работе, заведующий лабораторией ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики д.ф.-м.н. Александр Германович Милёхин

Милёхин.jpg 
В мире таких установок немного: в США, Японии, Корее, Германии. В России их можно буквально пересчитать:подобные есть в Москве, в Казани, в Санкт-Петербурге, в Калининграде. Более того, лишь в единицах научных центров это оборудование используется для решения проблем физики полупроводников. Поэтому специалисты, умеющие творчески работать на таком оборудовании, составляют элиту физиков-экспериментаторов. 

«Мы ждем заинтересованных, мотивированных выпускников, готовых к систематической, и, что немаловажно, аккуратной работе на сложном и деликатном оборудовании, желающих вкладываться в свой карьерный рост, работать на результат», ― подчеркивает Александр Милёхин. 

Лаборатория физики и технологии гетероструктур ИФП СО РАН 

«Активно развивающиеся направления работы подразделения ― исследование спин-зависимых эффектов, спиновой и электронной структуры материалов. В ближайшее время мы ожидаем поступления фотоэлектронного спектрометра для исследования электронной структуры кристаллов методом фотоэмиссии с угловым и спиновым разрешением (ARPES). В России это будет самая современная установка такого класса, аналогичная тем, что есть в ведущих мировых научных центрах. Она позволит исследовать зонную структуру и электронную поляризацию в твёрдых телах, на этом базируется вся спинтроника ― сравнительно молодая научная отрасль, от которой ожидают создания электронных устройств нового типа», - говорит заведующий лабораторией физики и технологии гетероструктур ИФП СО РАН, куратор станции “1-6-2” «Фотоэлектронная спектроскопия с угловым и спиновым разрешением синхротрона «СКИФ», профессор Новосибирского государственного университета профессор РАН Олег Евгеньевич Терещенко

Терещенко.jpg 
Ученый отмечает, что специалисты, освоившие работу на установке ARPES, смогут работать на аналогичном оборудовании синхротрона «СКИФ», что открывает дополнительные карьерные возможности, в том числе работы и стажировок за рубежом. Сотрудники лаборатории, аспиранты интенсивно сотрудничают с коллегами из Германии, Японии, США, проводят исследования на синхротронах всего мира. Молодые ученые становятся авторами работ в престижных изданиях. 

«Для публикации результатов мы стараемся реализовывать идеи и выполнять работу на уровне журналов первого квартиля, с высоким импакт-фактором, как правило, более четырех. Я придерживаюсь принципа, что если молодой сотрудник развивает свою идею, ведет работу, то он и будет первым автором статьи. Это важно и при защите диссертации ― наглядно демонстрируется, что вклад соискателя значим», ― добавляет Олег Терещенко. 

Лаборатория нанотехнологий и наноматериалов 

«Тематика наших исследований ― разработка технологий формирования природоподобных наноматериалов. В лаборатории вводится в эксплуатацию новая современная установка атомно-слоевого осаждения металлов и диэлектриков (PEALD, SENTECH, Германия), которая позволит решить ряд проблем создания новых наноматериалов и наноструктур для приборов нанофотоники, наноэлектромеханических систем, искусственных синапсов. Одна из тем исследований, которые будут реализованы с помощью новой установки ― синтез пленок с фазовым переходом металл-полупроводник методом атомно-слоевого осаждения. Такие пленки могут использоваться для создания быстродействующих носителей информации, компьютеров, работающих по принципу человеческого мозга, “умных” покрытий», - объясняет заведующий лабораторией нанотехнологий и наноматериалов ИФП СО РАН, к.ф.-м.н. Владимир Александрович Селезнев

Селезнев.jpg 
Основную часть коллектива лаборатории, организованной в 2019 году, составляют молодые сотрудники, работавшие ранее в лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур (руководитель член–корреспондент РАН В. Я. Принц). Благодаря тесному взаимодействию подразделений, у специалистов новой лаборатории есть возможность самостоятельного доступа к установкам штамповой нанолитографии, трехмерной проекционной печати, атомно-силовой микроскопии. 

«Четыре наших сотрудника ― стипендиаты конкурса молодых ученых ИФП СО РАН, аспирантка Анна Спирина руководит грантом РФФИ. В свой коллектив мы ждем активных и инициативных соискателей, желаема (но не обязательна) специализация в области физики полупроводников, физики твердого тела, микро- и нанотехнологий», ― отмечает Владимир Селезнев. 

Мнения молодых ученых 

молодые учёные.jpg 
Научный сотрудник лаборатории ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики Людмила Сергеевна Басалаева комментирует: «Упоминание ИФП СО РАН ― это знак качества научных работ. В свое время я выбрала аспирантуру института, потому что здесь дают профильное образование высокого уровня. Есть возможность работать с ведущими специалистами в области физики полупроводников и физики твердого тела. К тому же мне всегда очень нравился Академгородок: атмосфера тут необыкновенная и люди уникальные». 

Басалаева.jpg

Аспирант третьего года обучения Вадим Сергеевич Русецкий говорит, что за два года работы в лаборатории физики и технологии гетероструктур успел получить много новых знаний в своей области, так как физика полупроводников изначально не была его профилем. Со временем пришло понимание того, как правильно ставить эксперимент и интерпретировать результаты, важности мелочей. 

Вадим Русецкий добавляет, что в аспирантуру ИФП СО РАН попал практически случайно. 

«На последнем курсе магистратуры я работал на заводе по производству электронно-оптических преобразователей (и всё ещё работаю там по совместительству). После разговора с Олегом Евгеньевичем Терещенко и начальником на предприятии мне стало ясно, что в ИФП СО РАН ждет интересная работа, а также перспективные исследования. 

Eсли выпускнику действительно интересно заниматься физикой твердого тела, а также разработкой и технологией производства современных полупроводниковых (и не только полупроводниковых) приборов, то ему в нашем институте найдётся и материально-техническая база, и опытные талантливые наставники, и масса интересных задач», - объясняет аспирант. 

Русецкий.jpg 
​Анна Александровна Спирина, аспирантка третьего года в группе моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники ИФП СО РАН говорит, что именно во время обучения в аспирантуре у нее появилось целостное представление о физике полупроводников, как о научной отрасли. 

«Аспирантура в ИФП для меня была естественным продолжением учебы, начатой в НГТУ НЭТИ на кафедре полупроводников и микроэлектроники. В магистратуре появилось больше практики в Институте физики полупроводников, формировался навык работы, заинтересованность. Пришло понимание, что мне нравится именно эта деятельность. В такой обстановке даже не возникало вопроса идти ли в аспирантуру и в какую именно. И сейчас, в середине обучения, заинтересованность только укрепилась, и нет никаких сомнений в сделанном выборе. К тому же студенческо-аспирантский путь мы проходим с замечательной группой ребят. Мы друг друга очень поддерживаем, что облегчает, в том числе и процесс обучения, ведь всё преодолевать оказывается легче, если рядом верный товарищ. 

Спирина.jpg 


Научиться чему-то, приобрести интересные навыки и опыт можно практически везде, в любой области знаний, в любой локации. Было бы желание. Конечно, легче учиться, когда есть техническое оснащение, опытные преподаватели, внимательный руководитель. Это всё есть в ИФП СО РАН, институт может многое дать тому, кто хочет учиться и работать. Речь идет как о знаниях и опыте, так и о материальной стороне дела», ― отмечает исследовательница. 

Андрей Тарасов, аспирант третьего года обучения рассказывает, что выбрал аспирантуру ИФП СО РАН потому, что проходил в институте студенческую практику, и ему здесь понравилось. Он рекомендует поступать сюда тем, кому нравится физика и научная работа. 

тарасов.jpg 
Надежда Дмитриева,  

Пресс-служба ИФП СО РАН 

Иллюстрации: 

1, 1-2, 1-3. установка атомно-слоевого осаждения металлов и диэлектриков (PEALD, SENTECH, Германия) 

Фото спикеров: 

2. Александр Милёхин, заместитель директора ИФП СО РАН по научной работе 

3. Олег Терещенко, заведующий лабораторией физики и технологии гетероструктур ИФП СО РАН, фото Виктора Яковлева. 

4. Владимир Селезнев, заведующий лабораторией нанотехнологий и наноматериалов ИФП СО РАН 

5. Людмила Басалаева, научный сотрудник лаборатории ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики, фото Евгении Цаценко 

6. Вадим Русецкий, аспирант третьего года обучения ИФП СО РАН 

7. Анна Спирина, аспирантка третьего года в группе моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники ИФП СО РАН 

8. Работа в чистых помещениях ИФП СО РАН, фото Виктора Яковлева 

9. Административный корпус ИФП СО РАН 

10. Аспиранты ИФП СО РАН второго и третьего года (фото сделано в 2019 г) 

11. Андрей Тарасов, аспирант третьего года ИФП СО РАН 

Все фото можно скачать здесь: 

https://drive.google.com/drive/folders/1AFpsBIwrtfPvzIfWIxfOiv1MuuUqRRGw?usp=sharing​ ​

Источники

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А. В. РЖАНОВА СО РАН ВЕДЁТ НАБОР В АСПИРАНТУРУ
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А. В. РЖАНОВА СО РАН, 16/07/2020

Похожие новости

  • 18/10/2017

    Российские ученые напечатали из графена элементы электронных устройств будущего

    Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН разработали метод печати надежных устройств для гибкой электроники на 2D-принтере. Для этого они получили новый диэлектрический материал — фторированный графен.
    1449
  • 19/03/2020

    Российские и тайваньские физики создали материал на основе нитрида кремния для высокопроизводительной энергонезависимой резистивной памяти

    ​Ученые Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирского государственного университета, Новосибирского государственного технического университета и Национального университета Чао Тунг (Тайвань) разработали и сравнили элементы резистивной памяти — мемристоры на основе нитрида кремния, синтезированные с помощью двух разных технологий.
    605
  • 26/09/2019

    Международная группа с участием ученых НГУ опубликовала статью о новом методе управления лазером

    В НГУ проведены исследования волоконного лазера с оригинальным управляющим элементом, использующим композитный наноматериал нового поколения на основе углеродных нанотрубок и ионной жидкости. Результаты работы опубликованы в престижном журнале Nano Letters.
    644
  • 07/11/2017

    Статья ученых ИЛФ СО РАН и НГУ отмечена как статья недели журнала Laser Physics Letters

    ​Статья ученых НГУ и ИЛФ СО РАН о новых топологиях резонаторов волоконных лазеров ультракоротких импульсов вызвала на прошедшей неделе наибольший интерес среди контента международного лазерного журнала авторитетного мирового издательства.
    1839
  • 03/09/2017

    Дмитрий Маркович: Масштабы молодёжи нас устраивают

    ​2017 год стал для Института теплофизики СО РАН годом перемен — здесь впервые за 20 лет сменился директор. Коллектив одного из крупнейших академических институтов энергетического профиля России возглавил доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Дмитрий Маркович.
    2336
  • 04/02/2019

    Итоги совместного конкурса РФФИ— Национальный центр научных исследований Франции 2019 г (конкурс НЦНИ_а)

    ​На конкурс было подано 68 заявок. По результатам экспертизы, проведенной независимо российской и зарубежными сторонами, поддержано 19 проектов. Код конкурса: (НЦНИ_а) Совместный конкурс с НЦНИ Франции.
    1445
  • 15/07/2020

    Представлены промежуточные итоги реализации дорожной карты ЦКП СКИФ

    ​​О выполнении дорожной карты Центра коллективного пользования «Сибирский кольцевой источник фотонов» (ЦКП СКИФ) на первое полугодие 2020 года рассказали директор ФИЦ «Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН» академик Валерий Иванович Бухтияров, генеральный директор АО «Центральный проектно-технологический институт» Михаил Анатольевич Тарасов и мэр наукограда Кольцово Николай Григорьевич Красников.
    677
  • 14/05/2019

    От электрона к фотону: ИФП СО РАН — 55

    ​​Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова появился в результате объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники и Института радиофизики и электроники. С тех пор ИФП СО РАН остается признанным за рубежом и в России лидером в области создания и производства новых высокотехнологичных материалов, интегратором крупных научно-производственных проектов и коммуникационной площадкой для ученых, преподавателей, представителей индустриального и бизнес-сообщества.
    1150
  • 30/12/2019

    Квантовый алгоритм на основе ультрахолодных атомов

    ​Новосибирские физики провели исследование квантовых логических операций на основе холодных атомов и изучили оригинальные схемы квантовых вентилей, что имеет значение для построения элементной базы квантового компьютера.
    957
  • 04/01/2019

    Юбилей академика Александра Васильевича Латышева

    ​Александр Васильевич Латышев родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области. В 1981 году окончил Новосибирский госуниверситет по специальности «физика». Далее — в Институте физики полупроводников им.
    1076