22 мая в 15:00 в Выставочном центре СО РАН состоится лекция д.ф.-м.н. Олега Петровича Пчелякова «Космические технологии полупроводниковых структур».

Пчеляков Олег Петрович, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий Отделом роста полупроводниковых пленок Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Специалист в области физики конденсированного состояния, физических основ техники и технологии выращивания полупроводниковых наногетероструктур из молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме. Родился 20 мая 1946 года в городе Рубцовске Алтайского края, здесь же окончил школу. Два года учился на физфаке в НГУ, 3 года на физтехе - в НГТУ. В 1979 г. защитил кандидатскую диссертацию, докторскую - в 1997 году.

Основные научные результаты: созданы физические основы и методики синтеза наногетероструктур на базе полупроводников А3В5, Ge, Si; сформирована база знаний о механизмах роста полупроводниковых гетеросистем с наноструктурами из молекулярных пучков для применения в приборах микро-, нано- и оптоэлектроники; разработаны технология, оборудование и аналитические приборы для эпитаксии в условиях открытого космического пространства на орбитальных объектах по программам Совета по космосу РАН и Федерального космического агентства.

Член секции «Космическое материаловедение» Координационного научно-технического совета Роскосмоса, член Нанотехнологического общества России, член Объединeнного научного совета СО РАН «Нанотехнологии и информационные технологии». Публикации: автор и соавтор более 250 научных работ и 10 патентов. Награды: лауреат Государственной премии РФ 1993 г. в области науки и техники.

Похожие новости

  • 18/10/2017

    Российские ученые напечатали из графена элементы электронных устройств будущего

    Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН разработали метод печати надежных устройств для гибкой электроники на 2D-принтере. Для этого они получили новый диэлектрический материал — фторированный графен.
    940
  • 14/05/2019

    От электрона к фотону: ИФП СО РАН — 55

    ​​Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова появился в результате объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники и Института радиофизики и электроники. С тех пор ИФП СО РАН остается признанным за рубежом и в России лидером в области создания и производства новых высокотехнологичных материалов, интегратором крупных научно-производственных проектов и коммуникационной площадкой для ученых, преподавателей, представителей индустриального и бизнес-сообщества.
    264
  • 04/01/2019

    Юбилей академика Александра Васильевича Латышева

    ​Александр Васильевич Латышев родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области. В 1981 году окончил Новосибирский госуниверситет по специальности «физика». Далее — в Институте физики полупроводников им.
    556
  • 28/04/2018

    Внутренний огонь физика Будкера: 100 лет со дня рождения основателя Института ядерной физики СО РАН

    ​​1 мая исполняется 100 лет со дня рождения основателя Института ядерной физики Сибирского отделения РАН Андрея Будкера. Андрей Будкер - крупный теоретик, "релятивистский инженер", пионер коллайдеров на встречных пучках заряженных частиц.
    1388
  • 19/03/2015

    Что вырастим, то вырастим: 3D-индустрия

    ​В стакан с песком мы кольцами, одно поверх другого, наливаем клей, он застывает, затем снова и снова льем клей и подсыпаем песку... Потом отряхиваем лишнее и получаем нечто вроде трубы. Заменим песок специально подготовленным порошком из металла, керамики или композита, струйку клея - лучом лазера или потоком электронов, а собственную руку - системами точного, до микрон, позиционирования и интеллектуального управления.
    1256
  • 22/12/2017

    Новосибирские физики сконструируют для лунной базы солнечные батареи

    ​Освоение других планет - давняя мечта человечества. Но ее невозможно реализовать, не решив энергетическую проблему. Новосибирские физики предложили способ усовершенствовать солнечные батареи для работы в космосе.
    727
  • 29/03/2019

    Электрон-позитронный накопитель в Новосибирске заменят установкой «СКИФ»

    Электрон-позитронный накопитель ВЭПП-3 перестанет работать на синхротронное излучение в новосибирском Институте ядерной физики Сибирского отделения РАН после появления центра коллективного пользования "Сибирский кольцевой источник фотонов" (НКС ЦКП "СКИФ").
    494
  • 10/10/2017

    Молодежная конференция «Оптические и информационные технологии» прошла в новосибирском Академгородке

    ​​​Традиционная молодёжная конкурс-конференция «Оптические и информационные технологии» прошла с 25 по 27 сентября 2017 года в новосибирском Академгородке. Её организовали совместно Институт автоматики и электрометрии (ИАиЭ) СО РАН и Новосибирский государственный университет (НГУ) (при финансовой поддержке Российского научного фонда).
    1407
  • 19/05/2017

    Энергия молодости как движущая сила науки

    Так же, как российское могущество прирастает Сибирью, могущество Сибирского отделения прирастает молодыми учеными. Они приходят в науку разными путями, но затем все эти тропинки сливаются в одну дорогу, ведущую в будущее.
    1723
  • 14/09/2017

    10-я Всероссийская конференция «Физика ультрахолодных атомов»

    ​18-20 декабря 2017 года в новосибирском Академгородке (ИАиЭ СО РАН) состоится 10-я Всероссийская конференция «Физика ультрахолодных атомов». О конференции Всероссийская конференция "Физика ультрахолодных атомов" является ежегодным научным форумом, имеющим целью обсуждение новых теоретических и экспериментальных результатов в области лазерного охлаждения атомов и ионов, оптических стандартов частоты, ультрахолодных Бозе- и Ферми-газов, нелинейной лазерной спектроскопии.
    2226