Последние несколько лет Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН участвует в программах Минобрнауки России по обновлению приборной базы, и часть лабораторий, включая молодежные, удалось оснастить оборудованием мирового класса. Этот процесс продолжится и в текущем году, так как институт выиграл очередной грант Минобрнауки России. Сейчас ИФП СО РАН ведет набор в аспирантуру. Аспиранты под руководством опытных ученых выполняют работы на уровне мировых научных школ, проводят эксперименты, используя новую приборную базу.

si-peald.jpg
 
Установка атомно-слоевого осаждения SI PEALD. Рядом с ней сотрудник ИФП СО РАН, молодой ученый Сергей Мутилин

«За последние два года мы закупили следующие приборы: установку атомно-слоевого осаждения SI PEALD; систему фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением ARPES FlexPS; единый комплекс оборудования для ближнепольной микроскопии и спектроскопии фирмы HORIBA; настольную установку лазерной безмасковой фотолитографии модели µMLA; криостат с криомагнитной системой TeslatronPT; установку Wafer Profiler для измерения концентраций легирующих примесей в полупроводниковых структурах; установку неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах; систему реконденсации жидкого гелия для работы криомагнитной системы по получению сверхнизких температур в сильных магнитных полях на базе гелиевого реконденсатора», ― отмечает заместитель директора ИФП СО РАН по научно-организационной работе кандидат физико-математических наук Александр Каламейцев.​​

Для развития полупроводниковых технологий современное оборудование имеет ключевое значение: на устаревших приборах зачастую невозможно провести измерения тонких эффектов, осуществить нужные эксперименты. Специалисты, умеющие работать на современных сложных установках, интерпретировать результаты ― высококвалифицированы, однако, чтобы получить такие навыки, требуется определенное время, и в процессе обучения в аспирантуре это можно сделать.

2_1_LEI-1618AM.jpg 
Установка неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах «LEI-1618AM»​​​

«Многие молодые ученые и аспиранты ИФП СО РАН ― руководители и исполнители грантов Российского научного фонда, Российского фонда фундаментальных исследователей, стипендиаты программ Президента Российской федерации, Правительства РФ, мэрии Новосибирска. Молодые специалисты публикуют работы в высокорейтинговых журналах, участвуют в научных конференциях по всему миру, могут выезжать на стажировки в другие организации (в том числе зарубежные). Аспирантам ежемесячно начисляется государственная стипендия (9927,33 руб.), также они трудоустраиваются в институт, а очное обучение дает отсрочку от армии. В нашем институте ежегодно проводится свой конкурс стипендий для молодых ученых. Администрация ИФП СО РАН содействует в получении общежития, служебного жилья или выплачивается частичная компенсация аренды» ― рассказывает руководитель отдела аспирантуры кандидат физико-математических наук Алла Настовьяк.

По словам заведующего молодежной лаборатории нанотехнологий и наноматериалов ИФП СО РАН кандидата физико-математических наук Владимира Селезнева, новое оборудование ― установка атомно-слоевого осаждения (PEALD, SENTECH, Германия) ― существенно расширяет технологические возможности подразделения.

«С помощью установки мы решаем задачи синтеза высококачественных наноструктур диоксида ванадия и диоксида гафния: например, можно селективно вести рост в заданных нанообластях подложки, синтезировать однородное покрытие на высокоаспектных кремниевых наностержнях (нанообъектах большой высоты с малым латеральным размером.  ― Прим. авт.). В частности, мы используем пленки диоксида гафния, толщиной в несколько нанометров, в качестве защитной маски при формировании кремниевых наноструктур», ― комментирует В. Селезнев.

В лаборатории №37 ИФП СО РАН три года назад появилась установка молекулярно-лучевой эпитаксии для синтеза нитридных гетероструктур «Compact 21-N», производства французской фирмы Riber, позволяющая создавать полупроводниковый материал для СВЧ-электроники за сравнительно короткое время.

В этом году ученые получили возможность бесконтактно проверять параметры синтезируемых объектов, с помощью диагностического прибора ― установки неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах «LEI-1618AM».

2_4_protasov.jpg 
Старший научный сотрудник ИФП СО РАН к.ф.-м.н. Дмитрий Протасов за работой на установке неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах «LEI-1618AM»

«Новая установка позволяет сэкономить дорогостоящий материал, сократить время производства многослойных полупроводниковых структур ― арсенид-галлиевых и нитрид-галлиевых. Раньше для контроля концентраций подвижности носителей заряда ― основных параметров гетероструктур для СВЧ-транзисторов, нам нужно было изготавливать тестовые структуры, затем вырезать из них образцы, измерять их свойства. Сейчас, с помощью нового оборудования, мы можем проводить контроль бесконтактно, неразрушающими методами и подбирать наилучшие параметры: толщины слоев, уровни легирования, расположения», ― добавляет заведующий лабораторией №37 ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Константин Журавлёв.
 
Пресс-служба ИФП СО РАН


***

priem_v_aspiranturu_ifp_so_ran.jpg

Будущим сотрудникам Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН нужно подать документы до 31 августа 2021 года, сдать экзамены до 15 сентября и выбрать руководителя из числа научных сотрудников института. Принять аспирантов готовы 27 лабораторий ИФП СО РАН. В Институте работает собственный диссертационный совет, направление подготовки 03.06.01 ― «Физика и астрономия», специальности 01.04.10 ― «физика полупроводников» и 01.04.07  ―  «физика конденсированного состояния». Аспирантам ежемесячно начисляется государственная стипендия (9927,33 руб.), они трудоустраиваются в институт, а очное обучение дает отсрочку от армии. В ИФП СО РАН ежегодно проводится свой конкурс стипендий для молодых ученых. Администрация ИФП СО РАН содействует в получении общежития, служебного жилья или выплачивается частичная компенсация аренды.





Источники

Аспиранты ИФП СО РАН будут работать на оборудовании мирового класса
Научная Россия (scientificrussia.ru), 22/07/2021
ИФП СО РАН ведет набор в аспирантуру
Сибирское отделение Российской академии наук (sbras.ru), 22/07/2021

Похожие новости

  • 13/07/2020

    Институты СО РАН продолжают набор в аспирантуру: ИАиЭ, НИОХ, ИМБТ, ИДСТУ, ИФП, ИУХМ ФИЦ УУХ СО РАН

    ​​Приём в аспирантуру ИАиЭ СО РАН на 2020/2021 учебный год  Приём на обучение по программам подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре осуществляется на места в рамках контрольных цифр приёма граждан на обучение за счёт бюджетных ассигнований федерального бюджета.
    1474
  • 28/07/2020

    ИФП СО РАН впервые закупит компактную систему для создания новых материалов

    ​​Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН закупит на выигранные в грантовом конкурсе Минобрнауки РФ средства на настольную систему для фотолитографии, позволяющую получать новые материалы.
    755
  • 03/02/2021

    В ИФП СО РАН рассказали о первых итогах работы по проекту―«стомиллионнику»

    Результаты представили президенту РАН академику Александру Сергееву в ходе его рабочего визита в новосибирский Академгородок. Консорциум исследовательских организаций, возглавляемый Институтом физики полупроводников, реализует проект «Квантовые структуры для посткремниевой электроники».
    766
  • 05/08/2020

    Проекты сибирских ученых вошли в число «стомиллионников»

    ​В конкурсе грантов на проведение крупных научных проектов по приоритетным направлениям научно-технологического развития РФ победили программы, представленные Институтом теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН, Институтом экономики и организации промышленного производства СО РАН, Институтом физики полупроводников им.
    946
  • 09/07/2021

    Год науки и технологий/Наука и университеты: Специализированные учебные научные центры погружают детей в прикладную науку

     В Год науки и технологий Правительство РФ внесло на рассмотрение Государственной Думы законопроект о финансировании специализированных учебных научных центров (СУНЦ) из федерального бюджета, а не через систему грантов, как это было раньше.
    1044
  • 02/02/2021

    Инновационные материалы для промышленности и развитие Азиатской России: губернатор Новосибирской области и президент РАН ознакомились с реализацией проектов-«стомиллионников»

    Президент РАН Александр Сергеев работает в Новосибирской области два дня – 1 и 2 февраля – в преддверии Дня российской науки. Губернатор Андрей Травников во время совещания с академиком 2 февраля обсудил промежуточные итоги реализации крупных научных проектов, победивших в конкурсе грантов Министерства науки и высшего образования РФ.
    575
  • 03/02/2021

    Академик Александр Сергеев подвёл итоги поездки в Новосибирск

    1 и 2 февраля президент Российской академии наук Александр Сергеев посетил передовые научные организации Сибирского отделения РАН в новосибирском Академгородке. Каждый из институтов реализует сегодня крупные проекты фундаментальных исследований, которые поддержало министерство науки и высшего образования РФ.
    1300
  • 08/10/2020

    В Омске проходит I Всероссийская научная конференция «Радиофизика, фотоника и исследование свойств вещества»

    6 октября пленарным заседанием в Президиуме Омского научного центра СО РАН открылась I Всероссийская научная конференция «Радиофизика, фотоника и исследование свойств вещества – 2020» (РФИВ-2020), организованная совместными усилиями Омского НИИ приборостроения, Омского научного центра СО РАН, Института радиофизики и физической электроники ОНЦ СО РАН, ОмГУ им.
    927
  • 03/02/2021

    Программа мероприятий, посвященных Дню российской науки

    ​Ежегодно 8 февраля российское научное сообщество отмечает свой профессиональный праздник — День российской науки. ​ По традиции к этой дате в институтах и вузах, находящихся под научно-методическим руководством Сибирского отделения РАН, приурочены научно-популярные мероприятия: дни открытых дверей, экскурсии, лекции и так далее.
    2307
  • 01/09/2021

    Новосибирский Институт физики полупроводников представил новейшие разработки в области тепловизионной техники

    Создана первая в РФ полноформатная тепловизионная камера для дальнего инфракрасного диапазона на базе отечественного фотоприемника. В конце августа в Московской области проводился международный военно-технический форум «Армия-2021».
    345