​Организаторами мероприятия стали Институт радиофизики и физической электроники Омского научного центра СО РАН, Омский НИИ приборостроения (АО «ОНИИП»), Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского и Омский педагогический университет.
 
На площадке мероприятия собрались представители научно-исследовательских институтов, вузов, промышленности, власти и бизнеса, чтобы обсудить особенности современной функциональной электроники, фотоники, задач, связанных с моделированием радиофизических процессов и систем, излучением и распространением радиоволн. Исследователи Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН подготовили доклады, два из которых были пленарными. Их сделали главный научный сотрудник ИФП СО РАН академик Александр Леонидович Асеев в соавторстве с заведующим лабораторией Новосибирского государственного университета Павлом Викторовичем Гейдтом и ведущий научный сотрудник ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Борис Григорьевич Вайнер.
 
«Город проведения конференции выбран не случайно: во-первых, в Омске в прошлом году организован новый Институт радиофизики и физической электроники Омского научного центра СО РАН, во-вторых, это связано с запросами омской высокотехнологичной промышленности. Основное предприятие, работающее по тематике конференции — Омский НИИ приборостроения — ведущее учреждение в области систем профессиональной, специальной, бортовой, спутниковой и арктической связи в России. Институт сейчас активно развивает изготовление систем связи на новых принципах: например, программно-определяемых средств радиосвязи, технологий система-на-кристалле и других. В АО “ОНИИП” активно используются разработки ИФП СО РАН прошлых лет в области акустоэлектроники, создан дизайн-центр микроэлектроники. На очереди — применение в радиосвязи технологий фотоники и радиофотоники», — сказал Александр Асеев.
 
В работе конференции приняли участие 97 человек из 46 предприятий, организаций и вузов РФ, Украины и Беларуси. 
 
«В Омск съехалось большое число известных и молодых ученых из разных городов России, в том числе, из столицы, с докладами, отражающими важные и интересные результаты теоретических и экспериментальных исследований по широкому кругу вопросов тематики конференции. Успешный опыт омичей позволил предложить проведение таких конференций в дальнейшем систематически», —прокомментировал Борис Вайнер.
 
«Конференция прошла на высоком уровне. Во-первых, доклады были подготовлены талантливыми активными участниками исследований. В частности, актуальные разработки осветили в своих впечатляющих сообщениях Борис Вайнер и Сергей Кузнецов, сотрудник филиала ИФП СО РАН — КТИ ПМ, НГУ.  Б. Вайнер рассказал об использовании тепловизонного метода при исследовании адсорбционных свойств твердых поверхностей, а С. Кузнецов представил множество собственных готовых и проектируемых разработок для развития терагерцовых детекторов и устройств фотоники. Во-вторых, присутствовали, и, что самое главное, участвовали в сессиях, представители региональных властей и предприятий, заинтересованные в усовершенствовании технологий на производстве, студенты и аспиранты. В-третьих, участники были из множества российских городов и регионов, из нескольких иностранных государств, что вполне представительно для первой конференции», — отметил заведующий лабораторией функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники НГУ кандидат наук Павел Гейдт.
 
В числе наиболее интересных докладов ученый назвал сообщение заведующего кафедрой экспериментальной физики и радиофизики ОмГУ доктора физико-математических наук Владимира Ивановича Струнина. В его докладе шла речь об экспериментальном сотрудничестве с НГУ по перспективному направлению ионно-кластерного «выглаживания» поверхности новых полупроводниковых материалов.
 
Александр Асеев добавил, что главный результат конференции — установление и укрепление новой для Омска тематики научных исследований и высокотехнологических разработок, и вклад ИФП СО РАН и НГУ в развитие этого направления в Омске сложно переоценить.
 
Пресс-служба ИФП СО РАН.

Похожие новости

  • 14/05/2019

    От электрона к фотону: ИФП СО РАН — 55

    ​​Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова появился в результате объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники и Института радиофизики и электроники. С тех пор ИФП СО РАН остается признанным за рубежом и в России лидером в области создания и производства новых высокотехнологичных материалов, интегратором крупных научно-производственных проектов и коммуникационной площадкой для ученых, преподавателей, представителей индустриального и бизнес-сообщества.
    1276
  • 28/12/2016

    Издательство Elsevier опубликовало книгу новосибирских учёных

    В издательстве Elsevier вышла книга, посвященная полупроводниковым структурам в области физики. В создании сборника приняли участие сибирские ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, а также их коллеги из России и стран Европы, Америки, юго-восточной Азии.
    1684
  • 08/05/2020

    Академик Анатолий Ржанов: воин, учёный, учитель

    ​​​К 75-й годовщине Великой Победы в новосибирском Академгородке собирались провести десятки различных мероприятий. Ещё в марте в Доме учёных начались встречи «Учёные фронтовики: через войну в науку».
    666
  • 24/05/2017

    Омские промышленники интересуются разработками СО РАН

    ​​Делегация представителей высокотехнологичной индустрии Омской области посетила институты новосибирского Академгородка. Свыше 20 главных инженеров, конструкторов и специалистов омских предприятий — ФНПЦ «Прогресс», «Омское машиностроительное КБ», «Омсктрансмаш», «Высокие технологии» и «Омский НИИ приборостроения» (ОНИИП) — встретились с председателем Сибирского отделения РАН академиком Александром Леонидовичем Асеевым и его советником доктором физико-математических наук Геннадием Алексеевичем Сапожниковым.
    2649
  • 24/04/2018

    Академический час для школьников: лекция «Нанотехнологии вокруг нас»

    ​​25 апреля в 15.00 в Малом зале Дома ученых СО РАН для старшеклассников состоится лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Нанотехнологии вокруг нас». Александр Леонидович Асеев — российский физик, академик РАН, доктор физико-математических наук, в настоящее время главный научный сотрудник Института физики полупроводников им.
    1716
  • 02/09/2020

    80 лет со дня рождения Сергея Стенина

    1 сентября — день рождения Сергея Ивановича Стенина — блестящего ученого, талантливого организатора, основателя научной школы, выпускника НГТУ НЭТИ. Сегодня ему бы исполнилось 80 лет. Во многом именно благодаря этому человеку Институт физики полупроводников им.
    559
  • 09/04/2020

    9 апреля 2020 года исполняется 100 лет со дня рождения основателя ИФП СО РАН академика Анатолия Васильевича Ржанова

    Сегодня исполняется 100 лет со дня рождения крупнейшего советского и российского физика, основателя и первого директора Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН, который ныне носит имя знаменитого ученого – академика Анатолия Васильевича Ржанова.
    654
  • 19/04/2019

    «Академический час для школьников»: лекция «Полупроводниковые наноструктуры для современной электроники»

    ​19 апреля в 14:00 в Сибирском государственном университете телекоммуникаций и информатики состоялась лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Полупроводниковые наноструктуры для современной электроники».
    635
  • 11/08/2020

    Академгородок 2.0 – приобретения и потери: мнения экспертов

    Что удалось сделать для развития Новосибирского научного центра за последние годы и какие задачи остаются нерешенными? Три известных российских ученых инвентаризируют достижения и проблемы в статье, написанной для «Континента Сибирь»*.
    554
  • 22/08/2018

    Учеными впервые запечатлены флуктуации при квантовом фазовом переходе

    Физики впервые смогли напрямую зафиксировать локальную динамику системы, которая совершает квантовый фазовый переход, — аналог таких процессов, как конденсация и кристаллизация. В результате ученые пронаблюдали квантовый аналог пузырей пара, которые появляются в воде во время кипения.
    1639