​АО «Экран-оптические системы» («ЭОС», актив РАТМ Холдинга, якорный резидент индустриального парка «ЭКРАН»), опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП) СО РАН, ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в рамках организации первого в России промышленного производства наногетероструктур на основе арсенида галлия, сообщили в пресс-службе РАТМ Холдинга. Объем инвестиций составил 350 млн рублей, источник – средства акционера и заемные.

Как сообщил генеральный директор АО «Экран-оптические системы» Андрей Гугучкин, производительность установки МЛЭ фирмы RIBER (Франция), размещенной на площадке ИФП,– до 10 тыс. пластин GaAs* в год.

Отмечается, что в настоящее время «ЭОС» – единственное предприятие в стране, которое уже готово поставлять заказчикам пластины GaAs для пассивных и активных устройств электронно-компонентной базы (ЭКБ) – сейчас их, в основном, импортируют из Тайваня, Китая и Южной Кореи.

— При поддержке ученых мы можем предложить как стандартизированные варианты напыления подложки, так и специальные решения, выполненные под заказ, — говорит Андрей Гугучкин. — Сотрудничество с ИФП – уникальный пример синергии науки и частного бизнеса. Мы не руководствуемся сиюминутной выгодой, а демонстрируем государственный подход к решению бизнес-задач: занимаемся сложной темой, необходимой для развития микроэлектроники – технологической основы рынков и продуктов цифровой эпохи. Именно те страны, в которых эта отрасль базовая, являются локомотивами мировой экономики.

По словам Андрея Гугучкина, наногетероструктуры GaAs (относятся к категории сверхпроводников с частотой более 2 ГГц) необходимы для сотовых телефонов, мобильных сетей 5G, телекоммуникационной техники, преобразователей сигналов, усилителей мощности, транзисторов, солнечных панелей для космических аппаратов, фотоприемников, индикаторов, дисплеев, оптоэлектроники и др.

— Наладив выпуск пластин GaAs, мы завершили первый этап реализации масштабного проекта по созданию единственного в России промышленного производства полупроводниковых гетероструктур соединений A3B5** и приборов на их основе, рассчитанного до 2023 года, — поясняет Андрей Гугучкин. — ЭКБ на базе технологий арсенида галлия обеспечивает мощность 1-2 Вт, а с использованием нитрида галлия*** этот показатель увеличивается в разы – до 20-25 Вт. Потому на втором этапе планируем изготавливать пластины GaN, для чего потребуется 750-900 млн рублей; на третьем – ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники, необходимый объем вложений – примерно 1 млрд рублей.

Объем выпускаемых изделий в денежном выражении при достижении показателей первого этапа составит 350-400 млн рублей в год, второго этапа – до 1,2-1,5 млрд рублей; третьего – до 3 млрд рублей. АО «Экран-оптические системы» намерено освоить значительную долю отечественного рынка пластин GaAs и GaN, а также экспортировать их.

*Химическая формула арсенида галлия – GaAs

** Бинарные соединения элементов III и V групп периодической системы, являющиеся полупроводниками

***Химическая формула нитрида галлия – GaN

Источники

В Новосибирске запущено производство сверхпроводниковых пластин GaAs
Новая Сибирь (newsib.net), 02/10/2019
"Экран-оптические системы" запустил производство электронных компонентов за 350 млн рублей
Коммерсантъ # Новосибирск.ru, 02/10/2019
"Экран-оптические системы" запустил первое в России промпроизводство наногетероструктур на основе арсенида галлия
Infopro54.ru, 02/10/2019
В Новосибирске за 350 млн рублей запустили производство пластин GaAs
RuNews24 (runews24.ru), 02/10/2019
АО "Экран-оптические системы" запустило первое в России промпроизводство наногетероструктур на основе арсенида галлия
Промышленные регионы России (promreg.ru), 02/10/2019
В завод по производству уникальных пластин в Новосибирске вложили 350 миллионов рублей
Сиб.фм (sib.fm), 02/10/2019
В России запущено первое промпроизводство наногетероструктур на основе арсенида галлия
Ставропольский городской портал (cod26.ru), 03/10/2019
Преимущество арсенида галлия для электроники: РФ освоила новое производство
Экономическое обозрение (finobzor.ru), 02/10/2019
В России запущенно первое промпроизводство наногетероструктур на основе арсенида галлия
НьюИнформ (newinform.com), 02/10/2019
АО "Экран-оптические системы" запустило первое в России промпроизводство наногетероструктур на основе арсенида галлия
Международный промышленный портал (promvest.info), 02/10/2019
Первое в РФ производство уникальных электронных компонентов запустили в Новосибирске
Деловой квартал (dk.ru), 02/10/2019
В Новосибирске запущено первое в России промпроизводство наногетероструктур
РИА Сибирь (ria-sibir.ru), 02/10/2019
В завод по производству уникальной пластмассы в Новосибирске вложили 350 миллионов рублей
Gorodskoyportal.ru/novosibirsk, 02/10/2019
АО "ЭОС" запустило первое в России производство наногетероструктур на основе арсенида галлия (Новосибирская область).
Advis.ru, 03/10/2019
АО "ЭОС" запустило первое в России производство наногетероструктур на основе арсенида галлия
Pvo-info.ru, 03/10/2019
Импортозамещение в электронике
Стимул (stimul.online), 04/10/2019
Начинка для микроэлектроники
Эксперт, 07/10/2019
Начинка для микроэлектроники
SMIonline (so-l.ru), 07/10/2019
Начинка для микроэлектроники
Эксперт (expert.ru), 07/10/2019

Похожие новости

  • 18/10/2017

    Российские ученые напечатали из графена элементы электронных устройств будущего

    Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН разработали метод печати надежных устройств для гибкой электроники на 2D-принтере. Для этого они получили новый диэлектрический материал — фторированный графен.
    1152
  • 24/05/2017

    Омские промышленники интересуются разработками СО РАН

    ​​Делегация представителей высокотехнологичной индустрии Омской области посетила институты новосибирского Академгородка. Свыше 20 главных инженеров, конструкторов и специалистов омских предприятий — ФНПЦ «Прогресс», «Омское машиностроительное КБ», «Омсктрансмаш», «Высокие технологии» и «Омский НИИ приборостроения» (ОНИИП) — встретились с председателем Сибирского отделения РАН академиком Александром Леонидовичем Асеевым и его советником доктором физико-математических наук Геннадием Алексеевичем Сапожниковым.
    1954
  • 03/10/2018

    В Новосибирске к 2026 году планируется построить центр нанотехнологий

    ​Единственный в России Центр нанотехнологий, в котором будут выполняться работы полного цикла - от разработки до мелкосерийного производства - планируется построить в новосибирском Академгородке к 2026 году.
    676
  • 16/05/2018

    Сибирские ученые создадут производство по выращиванию полупроводников

    ​Ученые Института физики полупроводников им А. В. Ржанова СО РАН создадут производство полупроводников для изготовления мощных силовых транзисторов в рамках модернизации завода АО "Экран-оптические системы" (производит электронно-оптические преобразователи для приборов ночного видения, а также фотоэлектронные умножители, входит в РАТМ Холдинг - прим.
    612
  • 29/08/2018

    В Новосибирске обсудили перспективы развития технологической кооперации науки и производства

    ​Заседание Совета главных инженеров предприятий Сибирского федерального округа на VI Международном форуме и выставке технологического развития "Технопром-2018" было посвящено перспективам развития технологической кооперации науки и производства.
    801
  • 30/08/2019

    В ИФП СО РАН появилась установка АО «Экран — оптические системы»

    ​В Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН в рамках партнерского договора с АО «Экран — оптические системы» размещена единственная за Уралом установка молекулярно-лучевой эпитаксии 4-го поколения фирмы Riber для производства полупроводниковых гетероструктур на основе арсенида галлия.
    596
  • 04/05/2017

    Новосибирские ученые разработали радиолокатор для Минобороны РФ

    ​Новый радиолокатор для Минобороны РФ разработан новосибирскими учеными, сообщил журналистам 3 мая генеральный директор Научно-исследовательского института измерительных приборов (НПО НИИИП-НЗиК, Новосибирск) Павел Заболотный.
    1188
  • 07/02/2018

    «Экран-оптические системы» будет работать по технологиям ИФП СО РАН

     Институт физики полупроводников им А. В. Ржанова СО РАН и АО «Экран-оптические системы» подписали соглашение о сотрудничестве, в рамках которого в институт будет поставлено промышленное оборудование для производства полупроводниковых гетероструктур — необходимого компонента электронной базы современных телекоммуникационных систем, систем связи и цифровой экономики.
    1244
  • 22/12/2017

    Новосибирские физики сконструируют для лунной базы солнечные батареи

    ​Освоение других планет - давняя мечта человечества. Но ее невозможно реализовать, не решив энергетическую проблему. Новосибирские физики предложили способ усовершенствовать солнечные батареи для работы в космосе.
    956
  • 22/05/2018

    «Экран – оптические системы» инвестирует 2,8 млрд рублей в новое производство в Новосибирске

    ​АО "Экран - оптические системы" совместно с Институтом физики полупроводников СО РАН (ИФП) намерено наладить в Новосибирске производство пластин наногетероструктур на основе арсенида галлия.
    1170