​В Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН в рамках партнерского договора с АО «Экран — оптические системы» размещена единственная за Уралом установка молекулярно-лучевой эпитаксии 4-го поколения фирмы Riber для производства полупроводниковых гетероструктур на основе арсенида галлия. Такие структуры применяются при создании телекоммуникационных систем, солнечных элементов, производстве микроэлектроники, изучении космоса.

«Некоторое время назад мы с нашим индустриальным партнером компанией "Экран — оптические системы" начали проект по производству полупроводниковых материалов для различных компонентов электронной базы. ИФП СО РАН предоставил помещение, компания закупила новое оборудование — установку молекулярно-лучевой эпитаксии фирмы Riber. Сейчас мы совместно пытаемся наладить производство и организовать технологический процесс», — сказал заместитель директора по научно-организационной работе ИФП СО РАН кандидат физико-математических наук Александр Владимирович Каламейцев.

Полупроводниковые гетероструктуры на основе арсенида галлия применяются в областях микроэлектроники, оптоэлектроники. На их основе делают мощные высокочастотные транзисторы, оптические элементы, например лазерные или диодные. Такие системы могут использоваться в космосе (например, в солнечных батареях, оптике, системах стыковки кораблей). 

 DSC02134_ifp.jpg

   Новая установка молекулярно-лучевой эпитаксии 4-го поколения фирмы Riber в ИФП СО РАН

«Производство высокотехнологичное и требует квалифицированных и подготовленных кадров, поэтому технологическое сопровождение установки и производства будет осуществляться в ИФП. Мы поставляем только оборудование и людей. Научная составляющая — за институтом», — отметил начальник участка № 35 по освоению промышленного производства АО «Экран — оптические системы» Иван Александрович Телегин.

Производительность установки — 10 тысяч структур в год. Она полностью автоматизирована, и участие человека в ней минимизировано. Оператору требуется только положить материал в шлюз загрузки, дальше все процессы проходят автоматически с теми параметрами, которые указывают технологи ИФП СО РАН. Всё это сделано для того, чтобы получать высокое качество структур, с высокой степенью однородности и хорошей производительностью. 

Установку разместили в чистом помещении ИФП СО РАН. Специальная система регулирует климат, то есть такие параметры, как влажность, температуру, чистоту воздуха. Отклонение температуры всего на один-два градуса может привести к тому, что у производимых структур появятся совершенно другие свойства, и приборы, получаемые из них, будут отличаться по характеристикам. 

Сейчас монтаж еще не завершен, установка находится на стадии технического запуска. Технологический запуск (то есть начало непосредственного промышленного производства) запланирован на следующий год. «После этого человеческий фактор здесь будет минимизирован. Нашим институтом уже будут отработаны все технологические процессы, процессы роста, непосредственно молекулярно-лучевой эпитаксии. Мы надеемся, что эта установка поможет расширить наш опыт, повысить квалификацию. Также в рамках проекта планируется закупка оборудования для паспортизации и характеризации, исследования выращенных структур, что позволит ему быть пилотным в области микроэлектроники и стать точкой притяжения для других наукоемких производств», — сказал младший научный сотрудник лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5 ИФП СО РАН кандидат физико-математических наук Дмитрий Владимирович Дмитриев. 

«Наука в Сибири»

Фото Александры Федосеевой

Похожие новости

  • 03/10/2018

    В Новосибирске к 2026 году планируется построить центр нанотехнологий

    ​Единственный в России Центр нанотехнологий, в котором будут выполняться работы полного цикла - от разработки до мелкосерийного производства - планируется построить в новосибирском Академгородке к 2026 году.
    554
  • 18/10/2017

    Российские ученые напечатали из графена элементы электронных устройств будущего

    Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН разработали метод печати надежных устройств для гибкой электроники на 2D-принтере. Для этого они получили новый диэлектрический материал — фторированный графен.
    1053
  • 24/05/2017

    Омские промышленники интересуются разработками СО РАН

    ​​Делегация представителей высокотехнологичной индустрии Омской области посетила институты новосибирского Академгородка. Свыше 20 главных инженеров, конструкторов и специалистов омских предприятий — ФНПЦ «Прогресс», «Омское машиностроительное КБ», «Омсктрансмаш», «Высокие технологии» и «Омский НИИ приборостроения» (ОНИИП) — встретились с председателем Сибирского отделения РАН академиком Александром Леонидовичем Асеевым и его советником доктором физико-математических наук Геннадием Алексеевичем Сапожниковым.
    1743
  • 16/05/2018

    Сибирские ученые создадут производство по выращиванию полупроводников

    ​Ученые Института физики полупроводников им А. В. Ржанова СО РАН создадут производство полупроводников для изготовления мощных силовых транзисторов в рамках модернизации завода АО "Экран-оптические системы" (производит электронно-оптические преобразователи для приборов ночного видения, а также фотоэлектронные умножители, входит в РАТМ Холдинг - прим.
    559
  • 29/08/2018

    В Новосибирске обсудили перспективы развития технологической кооперации науки и производства

    ​Заседание Совета главных инженеров предприятий Сибирского федерального округа на VI Международном форуме и выставке технологического развития "Технопром-2018" было посвящено перспективам развития технологической кооперации науки и производства.
    678
  • 04/10/2018

    Центр полупроводниковых нанотехнологий в рамках «Академгородка 2.0»: от космических фотоприемников до диагностических биосенсоров

    Согласно эмпирическому закону Мура, число транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, увеличивается вдвое каждые два года. Это происходит за счет уменьшения элементов, появления новых технологий и материалов, что отражает высокий темп развития как самой микроэлектроники, так и соответствующей фундаментальной научной базы.
    731
  • 04/05/2017

    Новосибирские ученые разработали радиолокатор для Минобороны РФ

    ​Новый радиолокатор для Минобороны РФ разработан новосибирскими учеными, сообщил журналистам 3 мая генеральный директор Научно-исследовательского института измерительных приборов (НПО НИИИП-НЗиК, Новосибирск) Павел Заболотный.
    1085
  • 07/02/2018

    «Экран-оптические системы» будет работать по технологиям ИФП СО РАН

     Институт физики полупроводников им А. В. Ржанова СО РАН и АО «Экран-оптические системы» подписали соглашение о сотрудничестве, в рамках которого в институт будет поставлено промышленное оборудование для производства полупроводниковых гетероструктур — необходимого компонента электронной базы современных телекоммуникационных систем, систем связи и цифровой экономики.
    1138
  • 22/12/2017

    Новосибирские физики сконструируют для лунной базы солнечные батареи

    ​Освоение других планет - давняя мечта человечества. Но ее невозможно реализовать, не решив энергетическую проблему. Новосибирские физики предложили способ усовершенствовать солнечные батареи для работы в космосе.
    819
  • 22/05/2018

    «Экран – оптические системы» инвестирует 2,8 млрд рублей в новое производство в Новосибирске

    ​АО "Экран - оптические системы" совместно с Институтом физики полупроводников СО РАН (ИФП) намерено наладить в Новосибирске производство пластин наногетероструктур на основе арсенида галлия.
    1031