начало 27/08/2017
окончание 30/08/2017

NT-MDT Spectrum Instruments выступает генеральным партнёром Международной конференции "Сканирующая зондовая микроскопия – 2017", которая пройдет в Екатеринбурге с 27 по 30 августа.

Будут представлены доклады президента NT-MDT SI проф. Виктора Быкова и руководителя отдела разработок NT-MDT SI к.т.н. Вячеслава Полякова.

Конференция посвящена широкому кругу вопросов, связанных с современным состоянием и перспективами развития различных методов Сканирующей Зондовой Микроскопии (СЗМ) в различных областях науки. Молодежная конференция будет включать приглашенные лекции ведущих специалистов и практические занятия на оборудовании УЦКП «Современные нанотехнологии» ИЕНиМ УрФУ. Планируется проведение конкурса работ молодых ученых.

Конференция должна стать первой в цикле ежегодных конференций, проводимых в разных городах России.

Тематики конференции:

1. СЗМ в материаловедении.   2. Новые методы СЗМ.
3. СЗМ в биологии и медицине.    4. Аналитические методы СЗМ.
5. Зондовая литография.   6. In situ возможности СЗМ.
7. Обработка данных СЗМ.
9. Ферроики.
   8. Сканирующая микроскопия пьезоотклика.
   10. Науки о жизни.


 

Программный комитет:

А.А. БухараевКФТИ КазНЦ РАН, Казань   И.В. ЯминскийМГУ, Москва
В.А. БыковNT-MDT SI, Зеленоград      А.П. ВолодинУниверситет Левен, Бельгия
А.В. ЛатышевИФП СО РАН, Новосибирск   А.Л. ГруверманУниверситет Небраски, США
В.Л. МироновИФМ РАН, Нижний Новгород     О.В. КолосовУниверситет Ланкастера, Великобритания
Г.М. МихайловИПТМ РАН, Черноголовка   А.Л. ХолкинУниверситет Авейру, Португалия
А.А. СаранинИАПУ ДВО РАН, Владивосток   С.А. ЧижикИТМО НАНБ, Минск, Беларусь
В.Я. ШурУрФУ, Екатеринбург    В.В. ШварцманУниверситет Дуйсбург-Эссен, Германия


 

Сопредседатели конференции: В.Я. Шур и В.Л. Миронов

Официальные языки конференции: русский и английский

Труды конференции: планируется публикация статей в международных журналах Ferroelectrics и IOP Conference Series: Materials Science and Engineering.

Источники

Сканирующая зондовая микроскопия - 2017
Нанометр (nanometer.ru), 22/08/2017

Похожие новости

  • 07/02/2018

    «Экран-оптические системы» будет работать по технологиям ИФП СО РАН

     Институт физики полупроводников им А. В. Ржанова СО РАН и АО «Экран-оптические системы» подписали соглашение о сотрудничестве, в рамках которого в институт будет поставлено промышленное оборудование для производства полупроводниковых гетероструктур — необходимого компонента электронной базы современных телекоммуникационных систем, систем связи и цифровой экономики.
    421
  • 28/12/2016

    Издательство Elsevier опубликовало книгу новосибирских учёных

    В издательстве Elsevier вышла книга, посвященная полупроводниковым структурам в области физики. В создании сборника приняли участие сибирские ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, а также их коллеги из России и стран Европы, Америки, юго-восточной Азии.
    909
  • 26/04/2018

    ИФП СО РАН продвигает новый флагманский проект

    ​Производство пластин для микроэлектроники на основе гетероструктур будет запущено в новосибирском Академгородке на базе соглашения между "РАТМ-Холдингом", входящим в него заводом "Экран-оптические системы" и Институтом физики полупроводников им.
    256
  • 06/05/2017

    Победы Сибирского отделения РАН: от сканеров таможенного досмотра до создания новых материалов

    В преддверие Дня Победы ученые представили разработки институтов Сибирского отделения Российской академии науки и промышленных корпораций в сфере оборонного и гражданского назначения. Председатель Сибирского отделения РАН, академик Александр Асеев подчеркнул, что «решение сложных проблем оборонно-промышленного комплекса, его диверсификация — то есть производство гражданской продукции, — невозможно без опоры на достижения фундаментальной науки.
    1040
  • 11/04/2018

    Круглый стол «Научное приборостроение для нанотехнологий. Современное состояние. Возможности развития»

    ​Уважаемые коллеги, В новосибирском Академгородке 25 апреля 2018 года с 11-00 до 17-00 на базе Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск, пр. академика Лаврентьева, 13) при поддержке Нанотехнологического Общества России, компании NT-MDT Spectrum Instruments и Сибирского Отделения РАН состоится в формате круглого стола семинар по теме: «Научное приборостроение для нанотехнологий.
    313
  • 05/05/2017

    В ИФП СО РАН конструируют новые материалы

    - Работы, которые выполняются в нашем институте, позволяют нам получать знания необходимые для развития новых технологий и совершенствования методик, востребованных в промышленности, - заявил на пресс-конференции в ТАСС директор Института физики полупроводников им.
    830
  • 19/01/2016

    Как пройти путь научной идеи до внедрения?

    Основная глобальная проблема реиндустриализации Новосибирской области, которую предстоит решить, заключается в том, с помощью каких механизмов связать исследовательские институты и заводы, полагает директор Института физики полупроводников им.
    1172
  • 21/07/2016

    Александр Латышев: власти должны понимать, что менталитет ученого совсем иной

    ​Наверное, пришло время, когда надо перестать читать фантастические романы - они уже не способны поражать наше воображение. Чтобы удовлетворить свою фантазию, почувствовать приближение чего-то необычного, а подчас даже и потрогать его, следует отправиться на очередную выставку достижений науки и побеседовать с учеными.
    1804
  • 19/02/2016

    В ИФП СО РАН рассказали о будущем микроэлектроники

    С обсуждения этой темы началась встреча ученых-физиков с учащейся молодежью в конференц-зале ИФП СО РАН. Для современных молодых людей это, пожалуй, наиболее захватывающая тема, по силе воздействия на воображение граничащая с научной фантастикой.
    1079
  • 14/01/2016

    ИФП СО РАН - в числе лучших научных организаций России

    ​Об этом и других достижениях 2015 года директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН член-корреспондент РАН Александр Васильевич Латышев рассказал в ходе традиционного научного семинара, проходящего в ИФП в начале года.
    1887