Новосибирский институт физики полупроводников (ИФП) Сибирского отделения (СО) РАН создает для предприятия электроники "Экран - оптические системы" производственную площадку стоимостью 500 млн рублей. Об этом сообщил в ходе Международного форума технологического развития "Технопром" в Новосибирске директор института Александр Латышев.

"Нехорошо, когда институт превращается в маленький заводик и начинает сам что-то производить, и мы сами производить не планируем. Новосибирское предприятие "Экран оптические системы" на сегодня вкладывает в нас 0,5 млрд рублей, чтобы приобрести технологическое оборудование. Таким образом мы находим индустриального партнера", - сказал Латышев.

Он пояснил, что производственная площадка будет выпускать разработанные ИФП СО РАН элементы электронной аппаратуры из арсенида галлия - соединения галлия и мышьяка, применяемого в качестве полупроводника. Расположится площадка на арендованных предприятием у института площадях, после ее запуска ИФП будет также осуществлять научное руководство проектом. Латышев не уточнил, в какие сроки будет создано предприятие, и каков объем производства.

Генеральный директор предприятия "Экран - оптические системы" Андрей Гугучкин ранее сообщил ТАСС, что компания намерена создавать российское производство компонентов электроники. То, что подавляющее их большинство сегодня импортируется, сдерживает развитие отечественной электронной промышленности, отмечал он.

Международный форум технологического развития "Технопром" ежегодно проводится в Новосибирске. Главные темы форума - технологическое лидерство российской экономики на основе разработки и внедрения наукоемких технологий в промышленности. В числе организаторов форума - правительство РФ, правительство Новосибирской области и Сибирское отделение Российской академии наук. Информационное агентство ТАСС выступает генеральным информационным партнером "Технопрома-2018".

Похожие новости

  • 29/08/2018

    В Новосибирске обсудили перспективы развития технологической кооперации науки и производства

    ​Заседание Совета главных инженеров предприятий Сибирского федерального округа на VI Международном форуме и выставке технологического развития "Технопром-2018" было посвящено перспективам развития технологической кооперации науки и производства.
    149
  • 26/04/2018

    ИФП СО РАН продвигает новый флагманский проект

    ​Производство пластин для микроэлектроники на основе гетероструктур будет запущено в новосибирском Академгородке на базе соглашения между "РАТМ-Холдингом", входящим в него заводом "Экран-оптические системы" и Институтом физики полупроводников им.
    359
  • 06/05/2017

    Победы Сибирского отделения РАН: от сканеров таможенного досмотра до создания новых материалов

    В преддверие Дня Победы ученые представили разработки институтов Сибирского отделения Российской академии науки и промышленных корпораций в сфере оборонного и гражданского назначения. Председатель Сибирского отделения РАН, академик Александр Асеев подчеркнул, что «решение сложных проблем оборонно-промышленного комплекса, его диверсификация — то есть производство гражданской продукции, — невозможно без опоры на достижения фундаментальной науки.
    1193
  • 02/02/2018

    Алексей Шулунов: радиофотоника - одно из важнейших направлений электроники

    ​До второго десятилетия нынешнего века в промышленности планеты прошли и ныне проводятся три направления развитии - пара, электрона, атома. "В настоящее время в мире идет переход на четвертый уровень, основывающийся на технологиях фотона, - отметил известный руководитель отечественной оборонной промышленности, руководитель рабочей группы № 19 Научно-технического совета Военно-промышленной комиссии при правительстве РФ, академик МАИ Алексей Шулунов, - эти технологии используют свойства фотонов, частиц, не имеющих массы покоя и заряда, что позволяет преодолеть принципиальные физические ограничения "классической" электроники.
    1085
  • 22/12/2017

    Новосибирские физики сконструируют для лунной базы солнечные батареи

    ​Освоение других планет - давняя мечта человечества. Но ее невозможно реализовать, не решив энергетическую проблему. Новосибирские физики предложили способ усовершенствовать солнечные батареи для работы в космосе.
    440
  • 05/05/2017

    В ИФП СО РАН конструируют новые материалы

    - Работы, которые выполняются в нашем институте, позволяют нам получать знания необходимые для развития новых технологий и совершенствования методик, востребованных в промышленности, - заявил на пресс-конференции в ТАСС директор Института физики полупроводников им.
    945
  • 10/11/2017

    О «трех китах» квантовых технологий

    ​Квантовый компьютер с необычайным быстродействием, квантовая связь, которую невозможно взломать, "картирование" человеческого мозга... Футурологи и ученые в последние годы щедро длятся прогнозами развития квантовых технологий.
    509
  • 11/04/2018

    Круглый стол «Научное приборостроение для нанотехнологий. Современное состояние. Возможности развития»

    ​Уважаемые коллеги, В новосибирском Академгородке 25 апреля 2018 года с 11-00 до 17-00 на базе Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск, пр. академика Лаврентьева, 13) при поддержке Нанотехнологического Общества России, компании NT-MDT Spectrum Instruments и Сибирского Отделения РАН состоится в формате круглого стола семинар по теме: «Научное приборостроение для нанотехнологий.
    419
  • 07/02/2018

    «Экран-оптические системы» будет работать по технологиям ИФП СО РАН

     Институт физики полупроводников им А. В. Ржанова СО РАН и АО «Экран-оптические системы» подписали соглашение о сотрудничестве, в рамках которого в институт будет поставлено промышленное оборудование для производства полупроводниковых гетероструктур — необходимого компонента электронной базы современных телекоммуникационных систем, систем связи и цифровой экономики.
    592
  • 22/05/2018

    «Экран – оптические системы» инвестирует 2,8 млрд рублей в новое производство в Новосибирске

    ​АО "Экран - оптические системы" совместно с Институтом физики полупроводников СО РАН (ИФП) намерено наладить в Новосибирске производство пластин наногетероструктур на основе арсенида галлия.
    269