Производство пластин для микроэлектроники на основе гетероструктур будет запущено в новосибирском Академгородке на базе соглашения между "РАТМ-Холдингом", входящим в него заводом "Экран-оптические системы" и Институтом физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Продукция, которая станет выпускаться на основе пластин арсенида галлия и нитрида галлия, используется в приборах квантовой электроники, в СВЧ-технике, в технике для систем связи, в телефонах и светотехнике. По словам председателя совета директоров "Экран-оптические системы" Валерия Ивановича Гугучкина, общие вложения в производство к 2025 году составят 2,8 млрд рублей. Проект уже обозначен как флагманский в рамках программы реиндустриализации экономики Новосибирской области.

"Сейчас на многих площадках обсуждают, как сблизить науку и производство, - прокомментировал директор ИФП СО РАН академик Александр Васильевич Латышев. - Мы же, пока идут все эти дискуссии, разработали свою модель и пытаемся ее реализовать. Институт и его партнеры не стали создавать новое юридическое лицо. На основе соглашения "Экран" за собственные средства приобретает во Франции промышленную установку и размещает на нашей территории, в специально подготовленном чистом боксе: на его переоборудование потребовалось более 50 миллионов рублей. Институт разрабатывает технологию производства на новой машине полупроводниковых пластин большого диаметра, поскольку накопил опыт их выпуска в меньших количествах и размерах. Одновременно здесь же начинается обучение специалистов. Наш вклад - научные знания и руки. В итоге мы отвечаем за продукт, а партнеры - за его продвижение и сбыт на российском и мировом рынках".

Александр Латышев пояснил, что потребность в импорте установки связана с тем, что близкое оборудование, разработанное в ИФП СО РАН, носит исследовательский характер и не приспособлено к промышленным масштабам. Продуктом, предлагаемым предприятиям микроэлектроники, будут эпитаксиальные пластины со сложной многослойной структурой на основе арсенида галлия. При этом производство изначально создается гибким, перестраиваемым на новые виды изделий со скоростью до двух - трех месяцев. "Мы (ИФП СО РАН и АО "Экран") предполагаем и запуск второй установки, которая будет работать с нитридом галлия, - отметил А.В. Латышев. - Соединения галлия привлекательны, во-первых, возможностью работать с СВЧ-техникой, а во-вторых, более высоким КПД при использовании в космической солнечной энергетике". Ученый предположил, что одним из потребителей конечной продукции может стать АО "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева".

"Космос, организация сплошной связи в Арктике, передача и хранение данных в системах цифровой экономики, многие другие стратегические задачи требуют современной отечественной микроэлектроники, а она, в свою очередь, не представима без качественной и эффективной компонентной базы, - подчеркнул Александр Латышев. - Однако наш проект соответствует не только национальным, но и региональным интересам: даст новые рабочие места и налоговые поступления, повысит рейтинг Новосибирской области, обогатит программу "Академгородок 2.0". Это хорошо понимают и в местном правительстве, и в Сибирском теруправлении ФАНО". Академик предположил, что запуск производства пластин должен произойти летом 2019 года.

Похожие новости

  • 01/03/2018

    Исследования группы российских ученых помогут при изучении новых полимерных материалов

    ​Ученые из Института ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН) и  Научно-технологического центра уникального приборостроения РАН (НТЦУП РАН), подведомственных ФАНО России, совместно с коллегами из Российского университета дружбы народов (РУДН) провели серию экспериментов по исследованию термостимулированных поверхностных плазмон-поляритонов (ТППП).
    247
  • 14/10/2015

    "Фотоника 2015" проводится в Год Света

    ​В новосибирском Академгородке начала работу российская конференция с международным участием по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники. Глава Сибирского отделения РАН академик Александр Леонидович Асеев напомнил участникам научного форума, что 2015 год объявлен Генеральной Ассамблеей ООН международным годом света и световых технологий.
    1464
  • 14/01/2016

    ИФП СО РАН - в числе лучших научных организаций России

    ​Об этом и других достижениях 2015 года директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН член-корреспондент РАН Александр Васильевич Латышев рассказал в ходе традиционного научного семинара, проходящего в ИФП в начале года.
    1789
  • 21/07/2016

    Александр Латышев: власти должны понимать, что менталитет ученого совсем иной

    ​Наверное, пришло время, когда надо перестать читать фантастические романы - они уже не способны поражать наше воображение. Чтобы удовлетворить свою фантазию, почувствовать приближение чего-то необычного, а подчас даже и потрогать его, следует отправиться на очередную выставку достижений науки и побеседовать с учеными.
    1683
  • 07/02/2018

    «Экран-оптические системы» будет работать по технологиям ИФП СО РАН

     Институт физики полупроводников им А. В. Ржанова СО РАН и АО «Экран-оптические системы» подписали соглашение о сотрудничестве, в рамках которого в институт будет поставлено промышленное оборудование для производства полупроводниковых гетероструктур — необходимого компонента электронной базы современных телекоммуникационных систем, систем связи и цифровой экономики.
    321
  • 05/05/2017

    В ИФП СО РАН конструируют новые материалы

    - Работы, которые выполняются в нашем институте, позволяют нам получать знания необходимые для развития новых технологий и совершенствования методик, востребованных в промышленности, - заявил на пресс-конференции в ТАСС директор Института физики полупроводников им.
    734
  • 11/04/2018

    Круглый стол «Научное приборостроение для нанотехнологий. Современное состояние. Возможности развития»

    ​Уважаемые коллеги, В новосибирском Академгородке 25 апреля 2018 года с 11-00 до 17-00 на базе Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск, пр. академика Лаврентьева, 13) при поддержке Нанотехнологического Общества России, компании NT-MDT Spectrum Instruments и Сибирского Отделения РАН состоится в формате круглого стола семинар по теме: «Научное приборостроение для нанотехнологий.
    205
  • 25/07/2016

    Новосибирские учёные разрабатывают лазеры в зелёном диапазоне

    ​Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН и лаборатории молекулярной фотоники НГУ занимаются одним из самых актуальных на сегодня направлений в области лазерных технологий — созданием зелёных светодиодов и лазерных диодов (за синие светодиоды в 2014 году ученые из Японии и США получили Нобелевскую премию).
    1059
  • 09/06/2017

    ИАиЭ СО РАН отпраздновал 60-летний юбилей

    ​8 июля свое шестидесятилетие отметил еще один из первых институтов Сибирского отделения РАН - Институт автоматики и электрометрии. Первым поздравление произнес директор ИАиЭ СО РАН академик Анатолий Михайлович Шалагин.
    675
  • 28/12/2016

    Издательство Elsevier опубликовало книгу новосибирских учёных

    В издательстве Elsevier вышла книга, посвященная полупроводниковым структурам в области физики. В создании сборника приняли участие сибирские ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, а также их коллеги из России и стран Европы, Америки, юго-восточной Азии.
    850