Институт физики полупроводников (ИФП) Сибирского отделения РАН представил лауреату Нобелевской премии по физике, профессору Нагойского университета Хироси Амано программу сотрудничества вузов из 15 пунктов. Институт и университет будут обмениваться студентами и вести совместную научную работу, сообщил ТАСС директор ИФП Александр Латышев.

Национальный проект "Наука" предполагает Обеспечение привлекательности работы в Российской Федерации для российских и зарубежных ведущих ученых и молодых перспективных исследователей. В рамках нацпроекта количество российских и зарубежных ведущих ученых, работающих в стране должно увеличиться в 1,3 раза к концу 2024 года.

Амано_10.jpg 

"В 2015 году был подписан меморандум о сотрудничестве между ИФП СО РАН и Нагойским университетом. В этот раз мы обсуждали детали его выполнения. Мы представили программу из 15 направлений по которой будем работать. Он [Хироси Амано] поехал ее среди руководства университета обсуждать, присылать и согласовывать", - сказал Латышев.

По его словам, сотрудничество предполагает обмен кадрами и совместную научную работу. "Мы договорились, что пока начнем делать эту работу отдельно, но под общую тему, чтобы потом появились совместные проекты", - отметил Латышев. Следующим этапом будет визит делегации Института в Нагойский университет, обмен студентами и аспирантами и подача заявок в фонды на финансирование совместных исследований.

 

5 июня 2015 года Хироси Амано впервые посетил ИФП. После встречи с директором Института Латышевым профессор Амано выступил перед сотрудниками Института с кратким сообщением о текущих исследованиях нитридных материалов в возглавляемой им лаборатории, а затем ответил на многочисленные вопросы собравшихся. В результате был подписан меморандум о сотрудничестве.

Амано получил Нобелевскую премию по физике в 2014 году за работу 1989 года изобретение синих диодов, которые сделали возможным создание ярких и энергосберегающих источников белого света. Именно такие сверхъяркие синие диоды на основе нитрида галлия используются в современных ЖК-панелях, экранах смартфонов, вспышках, энергоэффективных лампочках.


Похожие новости

  • 23/10/2018

    В ИФП СО РАН обсудили сотрудничество с промышленными предприятиями Новосибирска

    ​В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН прошло первое совещание специалистов института с департаментом промышленности, инноваций и предпринимательства мэрии Новосибирска и промышленными предприятиями города.
    659
  • 26/04/2018

    Сибирские ученые обсудили создание сверхточных установок

    ​В новосибирском Академгородке прошел круглый стол "Научное приборостроение для нанотехнологий. Современное состояние. Возможности развития". Встреча состоялась на базе Института физики полупроводников им.
    646
  • 07/02/2018

    «Экран-оптические системы» будет работать по технологиям ИФП СО РАН

     Институт физики полупроводников им А. В. Ржанова СО РАН и АО «Экран-оптические системы» подписали соглашение о сотрудничестве, в рамках которого в институт будет поставлено промышленное оборудование для производства полупроводниковых гетероструктур — необходимого компонента электронной базы современных телекоммуникационных систем, систем связи и цифровой экономики.
    1218
  • 29/08/2018

    В Новосибирске обсудили перспективы развития технологической кооперации науки и производства

    ​Заседание Совета главных инженеров предприятий Сибирского федерального округа на VI Международном форуме и выставке технологического развития "Технопром-2018" было посвящено перспективам развития технологической кооперации науки и производства.
    775
  • 08/12/2016

    Инвестиционные структуры под эгидой ГК «Ростех» заинтересовались разработками сибирских ученых

    В новосибирском Академгородке прошло совещание руководства Сибирского отделения РАН и ведущих экспертов академических институтов с делегацией «РТ-Развитие бизнеса» (дочерняя компания госкорпорации «Ростех») и «GIP Group» (партнер ГК «Ростех» по венчурному бизнесу).
    1990
  • 14/01/2016

    ИФП СО РАН - в числе лучших научных организаций России

    ​Об этом и других достижениях 2015 года директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН член-корреспондент РАН Александр Васильевич Латышев рассказал в ходе традиционного научного семинара, проходящего в ИФП в начале года.
    2846
  • 04/01/2019

    Юбилей академика Александра Васильевича Латышева

    ​Александр Васильевич Латышев родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области. В 1981 году окончил Новосибирский госуниверситет по специальности «физика». Далее — в Институте физики полупроводников им.
    752
  • 08/08/2018

    Академик Александр Латышев: Центр полупроводниковых нанотехнологий должен обеспечить мировой уровень исследований

    ​Тысячные тиражи компонентов из новейших материалов через пять лет смогут получать предприятия российской электронной промышленности. Источник — новый инжиниринговый центр, о котором рассказывает врио директора Института физики полупроводников имени Ржанова СО РАН академик Александр Васильевич Латышев.
    1041
  • 22/08/2018

    Учеными впервые запечатлены флуктуации при квантовом фазовом переходе

    Физики впервые смогли напрямую зафиксировать локальную динамику системы, которая совершает квантовый фазовый переход, — аналог таких процессов, как конденсация и кристаллизация. В результате ученые пронаблюдали квантовый аналог пузырей пара, которые появляются в воде во время кипения.
    972
  • 11/04/2018

    Круглый стол «Научное приборостроение для нанотехнологий. Современное состояние. Возможности развития»

    ​Уважаемые коллеги, В новосибирском Академгородке 25 апреля 2018 года с 11-00 до 17-00 на базе Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск, пр. академика Лаврентьева, 13) при поддержке Нанотехнологического Общества России, компании NT-MDT Spectrum Instruments и Сибирского Отделения РАН состоится в формате круглого стола семинар по теме: «Научное приборостроение для нанотехнологий.
    1275