​26 февраля 2020 года в 10-00 в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН состоится Институтский семинар, на котором Артём Иванов представит кандидатскую диссертацию «Гибкие материалы и структуры на основе фторированного графена для резистивной памяти».

Подробнее

Источники

26 февраля 2020 года на семинаре в ИФП СО РАН обсудят гибкие материалы и структуры на основе графена
Сибирское отделение Российской академии наук (sbras.ru), 25/02/2020

Похожие новости

  • 05/12/2018

    Автоматика для цехов и проспектов

    ​В Институте автоматики и электрометрии (ИАиЭ) СО РАН прошло совещание по вопросам внедрения разработок института в реальном секторе экономики. Организатором мероприятия выступил департамент промышленности, инноваций и предпринимательства мэрии Новосибирска.
    1117
  • 25/10/2019

    Новосибирская аспирантка получила стипендию правительства России

    ​Восемь аспирантов институтов Сибирского отделения РАН получат стипендии правительства России; ежемесячная доплата составит 10 тысяч рублей.  Аспирантка Института физики полупроводников имени А. В.
    312
  • 02/12/2019

    Диагностика в инфракрасном диапазоне

    ​Можем ли мы увидеть черную кошку в темной комнате? Да, можем. Но только в том случае, если воспользуемся современной тепловизионной техникой. Об области применения этих важных для науки устройств подробно рассказал на своей лекции ведущий сотрудник Института физики полупроводников им.
    358
  • 14/02/2020

    Ученые ИФП СО РАН провели экскурсии для школьников в рамках Дня российской науки

    Нашествие любознательных детей — именно так можно назвать появление в термостатированном корпусе института ста школьников, причем практически одновременно. Их броуновское движение было упорядочено благодаря слаженной работе «экскурсоводов» из Совета молодых ученых ИФП СО РАН и посещение лабораторий напоминало увлекательный квест.
    359
  • 09/09/2016

    Академику Багаеву Сергею Николаевичу исполняется 75 лет

    ​Сергей Николаевич Багаев родился 9 сентября 1941 г. в Новосибирске. Окончил Новосибирский государственный университет в 1964 г. С 1965 по 1978 г. - стажер-исследователь, младший научный сотрудник, старший научный сотрудник, заведующий лабораторией Института физики полупроводников СО АН СССР.
    3783
  • 29/01/2020

    Новосибирские ученые исследуют действие холодной плазмы на раковые клетки

    Совместный проект Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Института химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН, Института теоретической и прикладной механики СО РАН направлен на развитие оригинального метода противораковой терапии с использованием холодной плазменной струи.
    379
  • 22/12/2017

    Новосибирские физики сконструируют для лунной базы солнечные батареи

    ​Освоение других планет - давняя мечта человечества. Но ее невозможно реализовать, не решив энергетическую проблему. Новосибирские физики предложили способ усовершенствовать солнечные батареи для работы в космосе.
    1138
  • 23/08/2019

    Академик Александр Латышев: эволюция научных школ невозможна без движения и даже турбуленции

    С самого своего рождения микро- и наноэлектроника развивается такими бешеными темпами, как никакая другая отрасль. И все это происходит буквально на наших глазах. К примеру, каждые два года мы в принципе должны выбрасывать свои сотовые телефоны и покупать новые, потому что элементная база реально меняется в два раза.
    781
  • 04/01/2019

    Юбилей академика Александра Васильевича Латышева

    ​Александр Васильевич Латышев родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области. В 1981 году окончил Новосибирский госуниверситет по специальности «физика». Далее — в Институте физики полупроводников им.
    932
  • 24/04/2018

    Академический час для школьников: лекция «Нанотехнологии вокруг нас»

    ​​25 апреля в 15.00 в Малом зале Дома ученых СО РАН для старшеклассников состоится лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Нанотехнологии вокруг нас». Александр Леонидович Асеев — российский физик, академик РАН, доктор физико-математических наук, в настоящее время главный научный сотрудник Института физики полупроводников им.
    1371