Список всего, что успел сделать за годы научной деятельности Николай Ратахин (а ему недавно исполнилось 70 лет), весьма внушительный. Одно перечисление достижений ученого в любимой им сфере займет не одну страницу. Но масштаб личности Ратахина таков, что он проявил себя не только в науке, но и стал блестящим организатором, многие годы возглавляя Президиум Томского научного центра СО РАН. А еще общественная деятельность – он избирался депутатом Думы города Томска. Все, кто сталкивался с Николаем Александровичем, знают его открытый характер, коммуникабельность, желание всегда прийти на помощь. 

Николай Александрович родился в 1950 году в маленьком селе Иркутской области. Кто бы из односельчан мог тогда подумать, что рядом с ними носится босиком по проселочным дорогам будущий академик? 

После окончания физического факультета Новосибирского государственного университета была аспирантура Томского института автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. Трудовую деятельность начал стажером-исследователем в отделе сильноточной электроники Института оптики атмосферы СО АН СССР. В Институте сильноточной электроники СО РАН работает 43 года, прошел путь от младшего научного сотрудника до директора института. Долгое время руководил в институте лабораторией, с 1994-го заведует отделом высоких плотностей энергии. 

В числе важнейших достижений… 

Основное направление научной деятельности Николая Ратахина, доктора физико-математических наук, члена-корреспондента и действительного члена РАН по отделению физических наук, – исследование и разработка эффективных методов компрессии электромагнитной энергии и ее преобразования в мощные потоки заряженных частиц и рентгеновское излучение в широком спектральном диапазоне. Он первым (при участии сотрудников Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН) выполнил прямые измерения характеристик плазмы в сильноточных диодах с взрывной эмиссией электронов. B 2001 году в составе авторского коллектива был удостоен первой премии Объединенного института ядерных исследований (г. Дубна) за работу «Исследование реакций между легкими ядрами в области ультранизких энергий с использованием лайнерной плазмы». 

Под руководством Николая Ратахина разработаны оригинальные наносекундные мегаамперные установки тераваттного диапазона мощности СНОП-3, МИГ, СГМ, по ряду параметров не имеющие аналогов в мире. В многоцелевом импульсном генераторе (МИГ) – уникальной научной установке России – совмещены практически все известные способы формирования мощных электрических импульсов. Установка позволяет получать такие импульсы в широком диапазоне параметров, проводить эксперименты по электродинамическому сжатию и электровзрыву проводников, ускорению плазмы, созданию мультимегагауссных магнитных полей и их воздействию на материалы, формировать сильноточные релятивистские пучки электронов. 

Коллективом исследователей, работающих под научным руководством Николая Ратахина, получены важные результаты в области физики экстремальных состояний вещества. Показано, что мощность в импульсах мягкого рентгеновского излучения Z-пинчей может превышать выходную электрическую мощность используемого генератора. Разработан источник точечного тормозного рентгеновского излучения с рекордными параметрами на основе плазмонаполненного стержневого диода. Созданы источники импульсного тормозного излучения с большой облучаемой площадью. Продемонстрирована высокая эффективность генерирования вспышек рентгеновского излучения с помощью планарных лайнеров и потоков нейтронов с помощью Z-пинчей. Мощный импульсный источник нейтронов на основе дейтериевого лайнера с интенсивностью 10 трлн частиц за импульс, реализованный на уникальной научной установке России ГИТ-12, вошел в число важнейших достижений по физике в Сибирском отделении РАН за 2018 год. Среди учеников Николая Александровича – пять кандидатов и два доктора наук, в том числе один член-корреспондент РАН. 

Во главе института 

С 2006 года Николай Ратахин – директор Института сильноточной электроники СО РАН. За этот период в институте получен ряд крупных научных результатов. Развернуты исследования по генерированию мощных фемтосекундных лазерных импульсов и создана не имеющая мировых аналогов гибридная лазерная система THL-100, на которой получена рекордная мощность излучения 40 тераватт (результат в числе важнейших достижений СО РАН по физике за 2019 год). Впервые в мире разработан метод ударного возбуждения генераторов мощных наносекундных СВЧ-импульсов, позволяющий управлять фазой колебания. На основе нелинейных гиромагнитных линий созданы компактные многоканальные гигаваттные источники СВЧ-импульсов с когерентным сложением полей излучения и электронным сканированием (премия президента Российской Федерации в области науки и инноваций для молодых ученых за 2016 год). Ученые ИСЭ СО РАН были удостоены Общенациональной неправительственной Демидовской премии (2007), международных научных премий У. Дайка (2008) и Э. Маркса (2019), а также премии Правительства Российской Федерации в области образования (2013). 

В институте под руководством Николая Ратахина возобновлены в значительных объемах разработки и поставки в российские организации мощной электрофизической техники специального назначения. Ряд установок, включая источники электромагнитного излучения в различных частях спектра, создан для предприятий ГК «Росатом». Значительно возросла активность научного коллектива института в поиске дополнительных средств финансирования исследований. Выполняется большое число проектов РНФ и РФФИ. За период с 2015 по 2019 год объем средств, привлеченных помимо субсидии федерального бюджета, увеличился со 190 до 370 млн рублей. С начала 2019 года в институте действуют две новые научные лаборатории, укомплектованные молодежными кадрами. 

Первый среди равных 

Николай Ратахин – член Президиума Сибирского отделения РАН, заместитель председателя Объединенного ученого совета по физическим наукам СО РАН. Сопредседатель регулярно проводимого в Томске международного конгресса «Потоки энергии и радиационные эффекты» (EFRE). Осуществляет руководство интеграционной программой фундаментальных и прикладных научных исследований «Электроразрядные, пучково-плазменные, лазерные технологии и средства экологического мониторинга для развития производственно-хозяйственных комплексов Сибири и Дальнего Востока» в рамках реализации Концепции создания в Томской области инновационного территориального центра «ИНО Томск». 

Николай Ратахин председательствовал в Президиуме Томского научного центра СО РАН, был и председателем совета директоров институтов ТНЦ СО РАН. Эта его деятельность значительно способствовала координации научных исследований в академических институтах Томска, налаживанию сотрудничества с другими научными организациями, подведомственными Минобрнауки России. Николай Александрович 15 лет преподает в Национальном исследовательском Томском политехническом университете, в течение ряда лет заведовал кафедрой высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники. 

Во благо Академгородка 

Николай Ратахин был избран депутатом Думы города Томска шестого созыва (с октября 2016 года по сентябрь 2020 года), где входил в комитет по бюджету, экономике и собственности и в постоянную комиссию по транспорту. Как депутат добивался реализации муниципальных программ развития в томском Академгородке, большая часть территории которого находится в федеральной собственности. По его инициативе территория томского Академгородка дважды вошла в городскую программу «От томского двора – до олимпийского пьедестала» с установкой комплексов общефизической подготовки. Николай Александрович регулярно оказывал депутатскую поддержку организациям, действующим в Академгородке: совету ветеранов, Дому ученых, профсоюзной организации ТНЦ СО РАН, детскому саду, библиотеке, Академэкоцентру. При его поддержке проводились празднования Дня Победы, Дня космонавтики, Дня матери, Дня Академгородка, спортивные соревнования. Депутат Николай Ратахин оказывал помощь в приобретении инвентаря и снаряжения ДЮСШ, расположенным в Академгородке. 

Оставляя должность директора ИСЭ СО РАН, академик Николай Ратахин планирует заняться реализацией имеющихся у него творческих замыслов в области физики высоких плотностей энергии и экстремальных состояний вещества, разработкой нового поколения высоковольтных импульсных установок, в основу которых будет положена новая компонентная база. 

Автор: Ольга Булгакова 

Источники

Масштабная поступь
Томские новости (tomsk-novosti.ru), 29/01/2021

Похожие новости

  • 24/12/2020

    Юбилей академика Николая Александровича Ратахина

    ​Николай Александрович Ратахин родился 24 декабря 1950 года в селе Ново-Троицк Тулунского района Иркутской области, у его родителей было пять и семь классов образования. В 1973 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета, в 1978 — аспирантуру Томского института автоматизированных систем управления и радиоэлектроники.
    430
  • 30/12/2020

    Топ-30 разработок сибирских ученых в 2020 году

    ​На портале «Новости сибирской науки» можно познакомиться с инновациями и последними достижениями сибирских ученых. Сегодня мы предлагаем вашему вниманию Топ-30 сообщений о наиболее значимых и интересных научных разработках 2020 года, размещенных на нашем сайте.
    3954
  • 22/04/2021

    Сибирские физики нашли способ многократно увеличить эффективность фотодетекторов и излучателей в инфракрасном диапазоне

    ​Об этом рассказал президент Российской академии наук академик Александр Сергеев на общем собрании РАН. Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН разработали наноструктуры с квантовыми точками «германий в кремнии» с контролируемыми параметрами и модифицировали эти структуры металлическими метаповерхностями.
    470
  • 16/07/2020

    ИФП СО РАН: подробности о деятельности подразделений и перспективах для молодых сотрудников

    ​Принять новых сотрудников готовы двадцать семь научных подразделений института, среди которых две молодежные лаборатории ― ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики и нанотехнологий и наноматериалов.
    1140
  • 01/11/2017

    40 лет со дня открытия Института сильноточной электроники СО РАН

    ​Институт сильноточной электроники СО АН СССР был организован постановлением Госкомитета СССР по науке и технике и постановлением Президиума Сибирского отделения АН СССР в 1977 году. В настоящее время институт возглавляет академик Николай Ратахин.
    2623
  • 28/10/2019

    Зеленый луч в небе: как томские ученые исследуют атмосферу

    ​Определить состав воздуха, обнаружить нефтяные пленки на поверхности океана и распознать взрывчатое вещество. Узнать, как составляющие атмосферы влияют на климат Земли, и о чем могут рассказать результаты исследований распространения оптического излучения в атмосфере.
    844
  • 30/03/2021

    Международный день метеоролога: в программе «Час науки» специальный репортаж о работе ИОА СО РАН

    ​​28 марта, в 17:00, в эфире канала «Россия-24 Томск» в программе «Час науки» вышел в эфир сюжет, приуроченный к полувековому юбилею Лаборатории климатологии атмосферного состава и Международному дню метеоролога.
    335
  • 29/03/2018

    Флагманские проекты ИАиЭ СО РАН обсудили на научно-технической сессии

    ​13-14 марта 2018 года в ИАиЭ СО РАН состоялась научно-техническая сессия "Флагманские проекты Института автоматики и электрометрии СО РАН в 2018 г. - состояние и перспективы". На сессии присутствовали представители администрации Новосибирска и области, Сибирского отделения РАН, институтов СО РАН, Новосибирского государственного университета, предприятий и организаций, сотрудничающих с ИАиЭ.
    3085
  • 03/01/2019

    Обнаружены особенности образования соединений, мешающих добыче нефти и газа

    ​​Ученые из Института неорганической химии имени А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук (ИНХ СО РАН) исследовали реакцию образования кристаллических соединений воды и газа (газовых гидратов) с метастабильной (неустойчивой) структурой.
    2211
  • 15/01/2021

    Академику Александру Скринскому 85 лет

    Александр Николаевич Скринский родился 15 января 1936 года в Оренбурге.  В 1959 году окончил Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова — красный диплом получил из рук Н.С. Хрущева, посетившего выпускной вечер в Университете.
    729