22 мая в 15:00 в Выставочном центре СО РАН состоится лекция д.ф.-м.н. Олега Петровича Пчелякова «Космические технологии полупроводниковых структур».

Пчеляков Олег Петрович, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий Отделом роста полупроводниковых пленок Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Специалист в области физики конденсированного состояния, физических основ техники и технологии выращивания полупроводниковых наногетероструктур из молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме. Родился 20 мая 1946 года в городе Рубцовске Алтайского края, здесь же окончил школу. Два года учился на физфаке в НГУ, 3 года на физтехе - в НГТУ. В 1979 г. защитил кандидатскую диссертацию, докторскую - в 1997 году.

Основные научные результаты: созданы физические основы и методики синтеза наногетероструктур на базе полупроводников А3В5, Ge, Si; сформирована база знаний о механизмах роста полупроводниковых гетеросистем с наноструктурами из молекулярных пучков для применения в приборах микро-, нано- и оптоэлектроники; разработаны технология, оборудование и аналитические приборы для эпитаксии в условиях открытого космического пространства на орбитальных объектах по программам Совета по космосу РАН и Федерального космического агентства.

Член секции «Космическое материаловедение» Координационного научно-технического совета Роскосмоса, член Нанотехнологического общества России, член Объединeнного научного совета СО РАН «Нанотехнологии и информационные технологии». Публикации: автор и соавтор более 250 научных работ и 10 патентов. Награды: лауреат Государственной премии РФ 1993 г. в области науки и техники.

Похожие новости

  • 04/01/2019

    Юбилей академика Александра Васильевича Латышева

    ​Александр Васильевич Латышев родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области. В 1981 году окончил Новосибирский госуниверситет по специальности «физика». Далее — в Институте физики полупроводников им.
    556
  • 14/05/2019

    От электрона к фотону: ИФП СО РАН — 55

    ​​Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова появился в результате объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники и Института радиофизики и электроники. С тех пор ИФП СО РАН остается признанным за рубежом и в России лидером в области создания и производства новых высокотехнологичных материалов, интегратором крупных научно-производственных проектов и коммуникационной площадкой для ученых, преподавателей, представителей индустриального и бизнес-сообщества.
    264
  • 18/10/2017

    Российские ученые напечатали из графена элементы электронных устройств будущего

    Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН разработали метод печати надежных устройств для гибкой электроники на 2D-принтере. Для этого они получили новый диэлектрический материал — фторированный графен.
    940
  • 29/03/2019

    Электрон-позитронный накопитель в Новосибирске заменят установкой «СКИФ»

    Электрон-позитронный накопитель ВЭПП-3 перестанет работать на синхротронное излучение в новосибирском Институте ядерной физики Сибирского отделения РАН после появления центра коллективного пользования "Сибирский кольцевой источник фотонов" (НКС ЦКП "СКИФ").
    494
  • 19/05/2017

    Энергия молодости как движущая сила науки

    Так же, как российское могущество прирастает Сибирью, могущество Сибирского отделения прирастает молодыми учеными. Они приходят в науку разными путями, но затем все эти тропинки сливаются в одну дорогу, ведущую в будущее.
    1723
  • 22/12/2017

    Новосибирские физики сконструируют для лунной базы солнечные батареи

    ​Освоение других планет - давняя мечта человечества. Но ее невозможно реализовать, не решив энергетическую проблему. Новосибирские физики предложили способ усовершенствовать солнечные батареи для работы в космосе.
    727
  • 24/04/2018

    Академический час для школьников: лекция «Нанотехнологии вокруг нас»

    ​​25 апреля в 15.00 в Малом зале Дома ученых СО РАН для старшеклассников состоится лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Нанотехнологии вокруг нас». Александр Леонидович Асеев — российский физик, академик РАН, доктор физико-математических наук, в настоящее время главный научный сотрудник Института физики полупроводников им.
    856
  • 22/07/2016

    Новосибирские и московские физики получили случайную генерацию в висмутовых волоконных световодах

    В журнале Scientific Reports группы Nature опубликована статья российских физиков. В ней впервые продемонстрирован случайный волоконный лазер на основе висмутового активного световода, имеющий уникальные выходные характеристики.
    1673
  • 17/03/2017

    Сибирские физики создадут точнейшие атомные часы

    Ученые из Института лазерной физики Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирского государственного университета и из Новосибирского государственного технического университета разработали сверхстабильный лазер для атомных часов, который позволит российским физикам создать устройства для измерения времени, не уступающие в точности западным аналогам, говорится в статье, опубликованной в Journal of Physics: Conf.
    2007
  • 28/04/2018

    Внутренний огонь физика Будкера: 100 лет со дня рождения основателя Института ядерной физики СО РАН

    ​​1 мая исполняется 100 лет со дня рождения основателя Института ядерной физики Сибирского отделения РАН Андрея Будкера. Андрей Будкер - крупный теоретик, "релятивистский инженер", пионер коллайдеров на встречных пучках заряженных частиц.
    1388