19 апреля в 14:00 в Сибирском государственном университете телекоммуникаций и информатики состоялась лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Полупроводниковые наноструктуры для современной электроники».

Александр Леонидович Асеев — российский ученый-физик, академик РАН, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, и.о. директора Аналитического и технологического инновационного центра НИУ НГУ, специалист в области атомных структур, электронных свойств и диагностики полупроводниковых систем пониженной размерности. Родился в Улан-Удэ 24 сентября 1946 года. В 1968 г. после окончания физфака НГУ, пришел на работу в ИФП СО АН СССР. Прошел путь от стажера-исследователя до директора института (1998-2013). В 1975 году защитил кандидатскую, в 1990 — докторскую диссертации. В 2008-2017 гг. - вице-президент Российской академии наук, председатель Сибирского Отделения РАН. Публикации: автор и соавтор более 250 научных работ, в том числе 5 монографий и 9 патентов.

Ученики: 4 кандидата и 2 доктора наук. Научные достижения: под его руководством создан научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур, что обеспечило ИФП СО РАН передовые позиции в этой области в России и в мире. При его участии выполнены классические работы по изучению свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния и атомных механизмов процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии. Совместно с коллегами разработал технологию молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств. Ведутся работы по созданию нанотранзисторов, новых типов элементов памяти, элементов наноэлектроники и нанофотоники. Является пионером и инициатором работ в СО РАН по нано- и квантовым технологиям. Внес основополагающий вклад в организацию работ институтов СО РАН с предприятиями реального сектора экономики России и в программу реиндустриализации Новосибирской области. Награды: Медали ордена «За заслуги перед Отечеством I и II степени (2008, 2017); лауреат Премии Правительства РФ в области образования (2012); почетный член ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН; удостоен многих ведомственных и региональных наград, медалей Монголии и Казахстана; иностранный член Академий наук Монголии и Беларуси, почетный житель города Улан-Удэ.

Похожие новости

  • 24/04/2018

    Академический час для школьников: лекция «Нанотехнологии вокруг нас»

    ​​25 апреля в 15.00 в Малом зале Дома ученых СО РАН для старшеклассников состоится лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Нанотехнологии вокруг нас». Александр Леонидович Асеев — российский физик, академик РАН, доктор физико-математических наук, в настоящее время главный научный сотрудник Института физики полупроводников им.
    1103
  • 19/11/2015

    "XXXII Сибирский теплофизический семинар", посвящённый 80-летию со дня рождения академика В.Е. Накорякова

    ​C 19 по 20 ноября 2015 года Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН проводит Всероссийскую конференцию "XXXII Сибирский теплофизический семинар". Сибирский теплофизический семинар традиционно проводится один раз в два года в Новосибирске на базе Института теплофизики им.
    2503
  • 06/05/2017

    Победы Сибирского отделения РАН: от сканеров таможенного досмотра до создания новых материалов

    В преддверие Дня Победы ученые представили разработки институтов Сибирского отделения Российской академии науки и промышленных корпораций в сфере оборонного и гражданского назначения. Председатель Сибирского отделения РАН, академик Александр Асеев подчеркнул, что «решение сложных проблем оборонно-промышленного комплекса, его диверсификация — то есть производство гражданской продукции, — невозможно без опоры на достижения фундаментальной науки.
    2027
  • 28/12/2016

    Издательство Elsevier опубликовало книгу новосибирских учёных

    В издательстве Elsevier вышла книга, посвященная полупроводниковым структурам в области физики. В создании сборника приняли участие сибирские ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, а также их коллеги из России и стран Европы, Америки, юго-восточной Азии.
    1420
  • 26/12/2016

    Академик Александр Асеев: «За 300-летнюю историю РАН бывали времена и более тяжелые, чем сейчас»

    ​23 декабря в новосибирском Академгородке состоялась научная сессия Общего собрания Сибирского отделения РАН, на которой выступили с докладами ученые, пополнившие ряды Академии в 2016 году. Сообщения были посвящены персонализированной медицине, освоению запасов углеводородов на Крайнем Севере, визуализации нервной системы, информационным технологиям агропромышленного комплекса, а также работе Новосибирского государственного университета в рамках стратегических академических единиц.
    2574
  • 14/01/2016

    ИФП СО РАН - в числе лучших научных организаций России

    ​Об этом и других достижениях 2015 года директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН член-корреспондент РАН Александр Васильевич Латышев рассказал в ходе традиционного научного семинара, проходящего в ИФП в начале года.
    2858
  • 14/05/2019

    От электрона к фотону: ИФП СО РАН — 55

    ​​Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова появился в результате объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники и Института радиофизики и электроники. С тех пор ИФП СО РАН остается признанным за рубежом и в России лидером в области создания и производства новых высокотехнологичных материалов, интегратором крупных научно-производственных проектов и коммуникационной площадкой для ученых, преподавателей, представителей индустриального и бизнес-сообщества.
    546
  • 24/09/2016

    К юбилею академика Александра Асеева

    ​​24 сентября - юбилей вице-президента Российской академии наук и председателя ее Сибирского отделения академика Александра Леонидовича Асеева. Мы рассказывали, как проходит один его обычный рабочий день.
    2375
  • 23/08/2019

    Академик Александр Латышев: эволюция научных школ невозможна без движения и даже турбуленции

    С самого своего рождения микро- и наноэлектроника развивается такими бешеными темпами, как никакая другая отрасль. И все это происходит буквально на наших глазах. К примеру, каждые два года мы в принципе должны выбрасывать свои сотовые телефоны и покупать новые, потому что элементная база реально меняется в два раза.
    599
  • 14/08/2019

    Физический институт РАН получил максимальный грант в 2019 году

    Физический институт имени Лебедева Российской академии наук (РАН) получил максимальный грант Министерства науки и высшего образования РФ в размере более 280 млн рублей на обновление приборной базы в рамках нацпроекта "Наука".
    406