​Восемь аспирантов институтов Сибирского отделения РАН получат стипендии правительства России; ежемесячная доплата составит 10 тысяч рублей. 

Аспирантка Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН Алина Герасимова получила стипендию правительства России. Девушка работает в лаборатории физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.

Молодая учёная изучает формирование тонкоплёночных слоёв нестехиометрических оксидов металлов методом ионно-лучевого распыления-осаждения и исследованием их структурных и функциональных свойств. Их используют ReRam устройства, которые являются наиболее перспективными кандидатами на роль универсальной энергонезависимой памяти. Эта память может совмещать в себе энергонезависимость как флеш-память и жёсткий диск, высокую скорость работы, характерную для динамической памяти, и большой информационный объём.

По признанию Алины, оформить заявку на получение стипендии просто. Однако это требует времени.

«У меня ушло несколько дней. Нужно перечислить научные достижения, к которым относятся статьи в журналах, индексируемых в WoS, Scopus, РИНЦ, запатентованные научные результаты, выступления на конференциях, победы в конкурсах, олимпиадах», – призналась девушка.

Она рассказала, что опубликовала несколько статей в таких журналах, как Nanotechnology, Advanced electronic materials. Алина считает, что это сыграло свою роль при принятии решения о выделении стипендии.

В течение года Алина будет получать дополнительно 10 тысяч рублей в месяц.

Напомним, 22 октября стало известно, что молодые учёные готовы избавить Россию от угольной пыли. 

Анатолий Якимов

Похожие новости

  • 26/10/2016

    Вручены дипломы премии имени Валентина Коптюга

    На заседании Президиума Сибирского отделения РАН награждены лауреаты премии имени академика Валентина Афанасьевича Коптюга 2016 года, которая присуждается российско-белорусским научным коллективам за совместные работы.
    1522
  • 02/02/2017

    Убежать за наносекунду: за что ученые ИФП СО РАН получили премию Правительства РФ

    ​Ученые из Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН изучили новый тип разряда, применение которого способно увеличить эффективность используемых в различных сферах газовых лазеров. За это исследователи получили премию Правительства Российской Федерации.
    1164
  • 31/07/2018

    Владимир Путин подписал Указ о награждении государственными наградами Российской Федерации

    ​24 июля 2018 г. Президент Российской Федерации Владимир Путин подписал Указ № 449 «О награждении государственными наградами Российской Федерации». Президентом принято решение: наградить медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» I степени Михно Ирину Моисеевну, директора муниципального автономного общеобразовательного учреждения города Новосибирска «Вторая Новосибирская гимназия».
    605
  • 13/06/2018

    Академик Сергей Алексеенко: эта премия — не только личные достижения, но и успех страны

    В 2018 году премия «Глобальная энергия» была присуждена сибирскому ученому, заведующему лабораторией тепломассопереноса Института теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН и его директору с 1997 по 2017 годы академику Сергею Владимировичу Алексеенко.
    1476
  • 05/12/2018

    Автоматика для цехов и проспектов

    ​В Институте автоматики и электрометрии (ИАиЭ) СО РАН прошло совещание по вопросам внедрения разработок института в реальном секторе экономики. Организатором мероприятия выступил департамент промышленности, инноваций и предпринимательства мэрии Новосибирска.
    935
  • 10/10/2019

    Сибирские учёные комментируют открытия, удостоенные Нобелевской премии по физике в 2019 году

    ​Нобелевскую премию по физике в этом году получили Джеймс Пиблс за теоретические открытия в области космологии, а также Мишель Майор и Дидье Кело, открывшие первую экзопланету на орбите солнцеподобной звезды — горячий юпитер, вращающийся вокруг желтого карлика Гельветиоса в созвездии Пегаса.
    281
  • 23/08/2019

    Академик Александр Латышев: эволюция научных школ невозможна без движения и даже турбуленции

    С самого своего рождения микро- и наноэлектроника развивается такими бешеными темпами, как никакая другая отрасль. И все это происходит буквально на наших глазах. К примеру, каждые два года мы в принципе должны выбрасывать свои сотовые телефоны и покупать новые, потому что элементная база реально меняется в два раза.
    594
  • 04/01/2019

    Юбилей академика Александра Васильевича Латышева

    ​Александр Васильевич Латышев родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области. В 1981 году окончил Новосибирский госуниверситет по специальности «физика». Далее — в Институте физики полупроводников им.
    752
  • 14/11/2018

    Академик Александр Скринский получил высокую государственную награду

    ​Научный руководитель Института ядерной физики им Г.И. Будкера СО РАН академик Александр Николаевич Скринский награжден Орденом Почёта за заслуги в развитии науки и многолетнюю добросовестную работу Указом президента РФ от 13 ноября 2018 года.
    902
  • 11/03/2019

    Две лаборатории в рамках нацпроекта «Наука» созданы в ИФП СО РАН

    Новосибирский Институт физики полупроводников (ИФП) СО РАН организовал в рамках реализации национального проекта "Наука" две лаборатории, которые займутся нанотехнологиями и оптическим измерением объектов небольших размеров.
    499