​Николай Александрович Ратахин родился 24 декабря 1950 года в селе Ново-Троицк Тулунского района Иркутской области, у его родителей было пять и семь классов образования.

В 1973 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета, в 1978 — аспирантуру Томского института автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. Далее — стажер-исследователь в отделе сильноточной электроники Института оптики атмосферы СО АН СССР. С 1978 года — в Институте сильноточной электроники СО РАН: младший, старший научный сотрудник (1978), зав. лабораторией (1986), зав. отделом высоких плотностей энергии (1994), зам. директора по научной работе (2003-2006), и.о. директора, с 2006 года — директор Института сильноточной электроники СО РАН.

В 2012-2015 гг. — председатель президиума Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук, с 2018 года — председатель Совета директоров институтов ТНЦ СО РАН.

15 лет преподает на кафедре физики плазмы в Национальном исследовательском Томском политехническом университете, с 2006 года — зав. кафедрой высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники ТПУ.

Член-корреспондент РАН c 2006 года, академик РАН c 2016 года — Отделение физических наук.

Академик Н.А. Ратахин — ученый, который получил результаты мирового уровня и работы которого широко известны в России и за рубежом: они имеют и фундаментальное, и практическое значение. Организатор науки. Специалист в области импульсной энергетики и физики экстремальных состояний вещества, физики пучков, z- пинчей, рентгеновского излучения.

Н.А. Ратахин внес значительный вклад в создание, проведение испытаний и освоение серийного производства специальной техники. В 2001 году в составе авторского коллектива ему была присуждена Первая премия Объединенного института ядерных исследований (г. Дубна) за работу «Исследование реакций между легкими ядрами в области ультранизких энергий с использованием лайнерной плазмы».

Основное направление научной деятельности Н.А. Ратахина — исследование методов компрессии электрической энергии и ее преобразования в мощные потоки заряженных частиц и рентгеновское излучение. Под его руководством разработан ряд уникальных тераваттных многоцелевых импульсных генераторов. На их базе выполнен ряд пионерских исследований, в результате которых впервые продемонстрирована эффективная генерация мягкого рентгеновского излучения и мультимегагауссных магнитных полей в наносекундных Z-пинчах, получены импульсные давления в десятки мегабар при электродинамическом сжатии конденсированного вещества, получены рекордные результаты по сверхжесткому рентгеновскому и гамма-излучению при торможении тераваттных электронных пучков, нашедшие практическое применение.

Он впервые, при участии сотрудников Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН, выполнил прямые измерения характеристик плазмы в сильноточных диодах с взрывной эмиссией электронов. Под руководством Н.А. Ратахина разработаны оригинальные наносекундные мегаамперные установки тераваттного диапазона мощности СНОП-3, МИГ, СГМ, по ряду параметров не имеющие аналогов в мире. В уникальной научной установке России МИГ (многоцелевой импульсный генератор) совмещены практически все известные способы формирования мощных электрических импульсов. Установка позволяет получать такие импульсы в широком диапазоне параметров, проводить эксперименты по электродинамическому сжатию и электровзрыву проводников, ускорению плазмы, созданию мультимегагауссных магнитных полей и их воздействию на материалы, формировать сильноточные релятивистские пучки электронов.

Разработан источник точечного тормозного рентгеновского излучения с рекордными параметрами на основе плазмонаполненного стержневого диода. Созданы источники импульсного тормозного излучения с большой облучаемой площадью. Продемонстрирована высокая эффективность генерирования вспышек рентгеновского излучения с помощью планарных лайнеров и потоков нейтронов с помощью Z-пинчей. Мощный импульсный источник нейтронов на основе дейтериевого лайнера с интенсивность 1013 частиц за импульс, реализованный на уникальной научной установке России ГИТ-12, вошел в число важнейших достижений по физике в Сибирском отделении РАН за 2018 год.

С 2006 года Н.А. Ратахин — директор Института сильноточной электроники СО РАН и за этот период в Институте получен ряд крупных научных результатов. Развернуты исследования по генерированию мощных фемтосекундных лазерных импульсов и создана не имеющая мировых аналогов гибридная лазерная система THL-100, на которой получена рекордная мощность излучения 40 ТВт (результат в числе важнейших достижений СО РАН по физике за 2019 год). Впервые в мире разработан метод ударного возбуждения генераторов мощных наносекундных СВЧ-импульсов, позволяющий управлять фазой колебания; на основе нелинейных гиромагнитных линий созданы компактные многоканальные гигаваттные источники СВЧ-импульсов с когерентным сложением полей излучения и электронным сканированием (Премия Президента Российской Федерации в области науки и инноваций для молодых ученых за 2016 год). Ученые ИСЭ СО РАН были удостоены Общенациональной неправительственной Демидовской премии (2007), международных научных премий У. Дайка (2008) и Э. Маркса (2019), а также Премии Правительства Российской Федерации в области образования (2013). В институте под руководством Н. А. Ратахина возобновлены в значительных объемах разработки и поставки в российские организации мощной электрофизической техники специального назначения. Ряд установок, включая источники электромагнитного излучения в различных частях спектра, создан для предприятий ГК «Росатом». Значительно возросла активность научного коллектива института в поиске дополнительных средств финансирования исследований. Выполняется большое число проектов РНФ и РФФИ. За период с 2015 по 2019 год объем средств, привлеченных помимо субсидии федерального бюджета, увеличился со 190 до 370 млн. руб. С начала 2019 года в институте действуют две новые научные лаборатории, укомплектованные молодежными кадрами.

В совокупности с огромным опытом разработки и создания в институте коммутаторов и трансформаторов это позволило за последние 5 лет изготовить и поставить компактные сильноточные исследовательские установки или их элементы в целый ряд учреждений, среди которых ТПУ; ИЯФ СО РАН; РФЯЦ-ВНИИЭФ (г. Саров); ФИАН, ТРИНИТИ (г. Троицк); Национальные лаборатории Сандия, США; Сианьский политехнический университет, КНР. Интерес ученых и специалистов обусловлен уникальными возможностями поставляемого оборудования при его малых размерах и невысокой цене.

Осуществляет руководство интеграционной программой фундаментальных и прикладных научных исследований «Электроразрядные, пучково-плазменные, лазерные технологии и средства экологического мониторинга для развития производственно-хозяйственных комплексов Сибири и Дальнего Востока» в рамках реализации Концепции создания в Томской области инновационного территориального центра «ИНО Томск».

Из интервью Н.А. Ратахина: «К нам приезжают нынешние так называемые менеджеры, пытаются сделать из нас бизнесменов. Говорят, изобретайте, делайте все, а мы будем продавать ваши установки. В общем, им нужно, чтобы мы превратились в своеобразный «научный магазин». Но нам-то это не нужно! Это иллюзия, что ученым денег хочется, что они их очень любят. Говорю им: представьте, что работа — это ваше хобби, доставляющее вам удовольствие. В этом как раз загадочность натуры ученого. Ему интересно познавать. Мы получаем наслаждение от процесса поиска, от рождения новых идей, а не от денег». «Необходимо, чтобы для науки в России были, наконец, определены точные «правила игры»: лишь при таком условии можно планировать стратегию развития научных институтов. Это же касается и дальнейшей судьбы региональных Научных центров, перспективы которых сейчас не вполне ясны. Я убежден, что бережное сохранение и приумножение всего того, что было создано нашими предшественниками, выдающимися учеными, должно стать безоговорочным приоритетом в научной политике. Это касается и процесса исследований, и традиций организации социального пространства ученых».

Как депутат Думы города Томска (2016-2020), Н.А. Ратахин добивался реализации муниципальных программ развития в Томском Академгородке. По его инициативе территория Томского Академгородка дважды вошла в городскую программу «От томского двора — до олимпийского пьедестала» с установкой комплексов общефизической подготовки. Оказывал депутатскую поддержку организациям, действующим в Академгородке: Совету ветеранов, Дому ученых, профсоюзной организации ТНЦ СО РАН, детскому саду, библиотеке, Академэкоцентру, детско-юношеской спортивной школе в Академгородке.

Среди учеников Н.А. Ратахина пять кандидатов и два доктора наук, в том числе один член-корреспондент РАН.

Автор и соавтор более 300 научных работ, автор авторского свидетельства на изобретение.

Основные труды Н.А. Ратахина: Установка МИГ — универсальный рентгеновский источник // Вопр. атом. науки и техники. 2001. Вып.3-4. С.3-4 (в соавт.); Дейтериевый лайнер и многопараметрическое исследование процесса формирования инверсного Z-пинча // Журн. техн. физики. 2002. Т.72, вып.9. С.29-37 (в соавт.); Precursor phenomenon in wire arrays: Model and experiment // Laser and particle beams. 2001. Vol.19. Р.443-449 (co-auth.); The astrophysical S-faktor dd-reaktions at keV-energy range // Kerntechnik. 2001. Vol.66, N 1-2. Р.42-46 (co-auth.); On the possibility of compression to materials multimegabar by megaampere currents with risetimes of tens of nanoseconds // Proc. of «MEGAGAUSS-9». 2005. P.116-118.

Член редколлегии журнала «Известия высших учебных заведений. Физика».

Член Президиума Сибирского отделения РАН, заместитель председателя Объединенного ученого совета по физическим наукам СО РАН. Сопредседатель регулярно проводимого в Томске международного конгресса «Потоки энергии и радиационные эффекты» (EFRE).

Член бюро Совета директоров СО РАН, член Совета ректоров, заместитель председателя Объединенного ученого совета СО РАН по физическим наукам, председатель ученого и докторского диссертационного советов при ИСЭ СО РАН, член Межотраслевой конкурсной комиссии по фонду содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере.

Награжден орденом Трудового Красного Знамени, медалями.

Ему вручены Почетные грамоты РАН, СО РАН.

В составе авторского коллектива ему была присуждена Первая премия ОИЯИ за работу «Исследование реакций между легкими ядрами в области ультранизких энергий с использованием лайнерной плазмы».

Отмечен наградами Томской области и города Томска.

Источники

Академику Ратахину Николаю Александровичу - 70 лет!
Российская академия наук (ras.ru), 24/12/2020
Академику Николаю Александровичу Ратахину — 70 лет
Наука в Сибири (sbras.info). С.2, 24/12/2020

Похожие новости

  • 29/01/2021

    Для кого Томск и наука неразделимы: об академике Николае Ратахине

    Список всего, что успел сделать за годы научной деятельности Николай Ратахин (а ему недавно исполнилось 70 лет), весьма внушительный. Одно перечисление достижений ученого в любимой им сфере займет не одну страницу.
    776
  • 30/12/2020

    Топ-30 разработок сибирских ученых в 2020 году

    ​На портале «Новости сибирской науки» можно познакомиться с инновациями и последними достижениями сибирских ученых. Сегодня мы предлагаем вашему вниманию Топ-30 сообщений о наиболее значимых и интересных научных разработках 2020 года, размещенных на нашем сайте.
    6256
  • 02/03/2020

    В России придумали, как управлять свойствами керамики

    ​Неизвестный ранее физический эффект, существенно повышающий возможности управления свойствами керамики, обнаружен учеными Томского политехнического университета (ТПУ). Результаты исследования могут быть использованы для разработки новых видов керамики с улучшенными эксплуатационными свойствами, считают его авторы.
    1014
  • 22/04/2021

    Сибирские физики нашли способ многократно увеличить эффективность фотодетекторов и излучателей в инфракрасном диапазоне

    ​Об этом рассказал президент Российской академии наук академик Александр Сергеев на общем собрании РАН. Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН разработали наноструктуры с квантовыми точками «германий в кремнии» с контролируемыми параметрами и модифицировали эти структуры металлическими метаповерхностями.
    769
  • 11/04/2019

    Открытие новосибирских физиков ускорит оптоволоконный интернет

    Передача данных с использованием сети интернет осуществляется по оптоволоконным каналам связи – нелинейным системам, в которых распространение электромагнитного сигнала (информации) описывается (в простейших моделях) нелинейным уравнением Шрёдингера.
    1209
  • 30/10/2020

    Прикоснуться к живой истории: в ИФП СО РАН рассказали об академике Ржанове

    ​В Институте физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН прошло торжественное заседание Ученого совета, посвященное столетию со дня рождения основателя Института, академика Анатолия Васильевича Ржанова.
    810
  • 09/07/2020

    Физики изучают возможность генерации «закрученных» поверхностных плазмон-поляритонов на Новосибирском лазере на свободных электронах

    ​​Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН) и Новосибирского государственного университета (НГУ) совместно с коллегами из Самарского национального исследовательского университета имени академика С.
    2865
  • 01/09/2021

    Академику Пархомчуку Василию Васильевичу - 75 лет

    Василий Васильевич Пархомчук родился 1 сентября 1946 года в с. Торчин Потиевского района Житомирской области. Поступать в физико-математическую школу в Академгородке Сибирского Отделения АН СССР Василий Пархомчук ехал вместе с Владимиром Балакиным (ныне член-корр.
    302
  • 16/04/2021

    Разработки самого высокого полета

     Каждый восьмой грант, получаемый учеными региона, посвящен аэрокосмическим исследованиям. Новосибирские ученые вносят большой вклад в освоение космоса: тренажер для стыковки космических аппаратов, технология для изготовления солнечных батарей на орбите и на Луне, катализаторы орто-пара-конверсии водорода, аэродинамические исследования перспективного российского многоразового космического корабля «Орел» — вот далеко не полный перечень разработок, рожденных в Сибири.
    826
  • 30/07/2021

    80 лет академику Николаю Диканскому

    30 июля исполняется 80 лет учёному-физику, академику РАН Николаю Сергеевичу Диканскому. Почти вся его жизнь связана с новосибирским Академгородком. Приехав из Донецкой области и окончив физфак НГУ в 1964 году, Николай Сергеевич начал работать в Институте ядерной физики.
    706