Аспирантка Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Алина Герасимова стала лауреаткой конкурса мэрии Новосибирска на присуждение премии в сфере науки и инноваций, сообщили в пресс-службе ИФП СО РАН. Её научная работа посвящена синтезу соединений, которые используются при создании элементов энергонезависимой резистивной памяти. Последняя может совмещать в себе свойства флэш-памяти: сохранение информации без подключения к источнику энергии, высокую скорость работы, характерную для динамической (оперативной) памяти и большой информационный объём.

― Я выращивала тонкие полупроводниковые пленки оксида гафния, циркония и тантала переменного (нестехиометрического) состава ― HfOx, ZrOx и TaOx. Эти материалы перспективны для создания резистивной памяти ReRAM. Благодаря использованию методов рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, спектральной эллипсометрии, дифракции быстрых электронов и высокоразрешающей электронной микроскопии мне удалось установить и описать взаимосвязь между условиями роста и химическим составом, структурой и оптическими свойствами плёнок нестехиометрических оксидов металлов, ― объясняет младший научный сотрудник ИФП СО РАН Алина Герасимова.

По ее словам, новые сведения позволят лучше понять процессы, происходящие в активном слое ячеек памяти ReRAM, что поможет оптимизировать технологию изготовления и улучшить их характеристики.

Отмечается, что конкурс на присуждение премии мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций проводится ежегодно в целях стимулирования научной, научно-технической и инновационной деятельности. Размер премии составляет сто тысяч рублей. Среди получателей этого года 30 молодых исследователей, 15 из них ― сотрудники Сибирского отделения РАН.

Фото предоставлено пресс-службой ИФП СО РАН, автор фото Евгения Цаценко


Ознакомиться с реестром лауреатов конкурса на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций можно по ссылке 





Источники

30 молодых исследователей получат премии в сфере науки и инноваций
Infopro54.ru, 13/05/2020
30 молодых исследователей получат премии в сфере науки и инноваций
Seldon.News (news.myseldon.com), 13/05/2020
30 молодых исследователей получат премии в сфере науки и инноваций
News-Life (news-life.pro), 13/05/2020
Исследования соединений для создания энергонезависимой резистивной памяти выпускницы НГТУ НЭТИ отмечены премией мэрии Новосибирска
Новосибирский государственный технический университет (nstu.ru), 14/05/2020
30 молодых исследователей получат премии в сфере науки и инноваций
Яндекс.Новости (yandex.ru/news), 14/05/2020
Исследования соединений для создания энергонезависимой резистивной памяти выпускницы НГТУ НЭТИ отмечены премией мэрии Новосибирска
Informio.ru, 14/05/2020
Исследования соединений для создания энергонезависимой резистивной памяти выпускницы НГТУ НЭТИ отмечены премией мэрии Новосибирска
Союз машиностроителей России (soyuzmash.ru), 14/05/2020
Исследования соединений для создания энергонезависимой резистивной памяти выпускницы НГТУ НЭТИ отмечены премией мэрии Новосибирска
Портал машиностроения (mashportal.ru), 14/05/2020
Исследования соединений для создания энергонезависимой резистивной памяти выпускницы НГТУ НЭТИ отмечены премией мэрии Новосибирска
Seldon.News (news.myseldon.com), 14/05/2020
Исследования соединений для создания энергонезависимой резистивной памяти выпускницы НГТУ НЭТИ отмечены премией мэрии Новосибирска
Сервер радиолюбителей (qrz.ru), 17/05/2020
Исследования соединений для создания энергонезависимой резистивной памяти выпускницы НГТУ НЭТИ отмечены премией мэрии Новосибирска
Оружие России (arms-expo.ru), 16/05/2020
Аспирантка Института физики полупроводников Алина Герасимова создает элементы энергонезависимой резистивной памяти
News-Life (news-life.pro), 15/05/2020
Аспирантка Института физики полупроводников СО РАН Алина Герасимова создала элементы энергонезависимой резистивной памяти
Energyland.info, 15/05/2020
Аспирантка Института физики полупроводников СО РАН Алина Герасимова создала элементы энергонезависимой резистивной памяти
Seldon.News (news.myseldon.com), 15/05/2020

Похожие новости

  • 04/01/2019

    Юбилей академика Александра Васильевича Латышева

    ​Александр Васильевич Латышев родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области. В 1981 году окончил Новосибирский госуниверситет по специальности «физика». Далее — в Институте физики полупроводников им.
    1189
  • 09/09/2016

    Академику Багаеву Сергею Николаевичу исполняется 75 лет

    ​Сергей Николаевич Багаев родился 9 сентября 1941 г. в Новосибирске. Окончил Новосибирский государственный университет в 1964 г. С 1965 по 1978 г. - стажер-исследователь, младший научный сотрудник, старший научный сотрудник, заведующий лабораторией Института физики полупроводников СО АН СССР.
    4476
  • 14/02/2020

    Ученые ИФП СО РАН провели экскурсии для школьников в рамках Дня российской науки

    Нашествие любознательных детей — именно так можно назвать появление в термостатированном корпусе института ста школьников, причем практически одновременно. Их броуновское движение было упорядочено благодаря слаженной работе «экскурсоводов» из Совета молодых ученых ИФП СО РАН и посещение лабораторий напоминало увлекательный квест.
    595
  • 25/10/2019

    Новосибирская аспирантка получила стипендию правительства России

    ​Восемь аспирантов институтов Сибирского отделения РАН получат стипендии правительства России; ежемесячная доплата составит 10 тысяч рублей.  Аспирантка Института физики полупроводников имени А. В.
    600
  • 24/04/2018

    Академический час для школьников: лекция «Нанотехнологии вокруг нас»

    ​​25 апреля в 15.00 в Малом зале Дома ученых СО РАН для старшеклассников состоится лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Нанотехнологии вокруг нас». Александр Леонидович Асеев — российский физик, академик РАН, доктор физико-математических наук, в настоящее время главный научный сотрудник Института физики полупроводников им.
    1760
  • 05/12/2018

    Автоматика для цехов и проспектов

    ​В Институте автоматики и электрометрии (ИАиЭ) СО РАН прошло совещание по вопросам внедрения разработок института в реальном секторе экономики. Организатором мероприятия выступил департамент промышленности, инноваций и предпринимательства мэрии Новосибирска.
    1346
  • 02/12/2019

    Диагностика в инфракрасном диапазоне

    ​Можем ли мы увидеть черную кошку в темной комнате? Да, можем. Но только в том случае, если воспользуемся современной тепловизионной техникой. Об области применения этих важных для науки устройств подробно рассказал на своей лекции ведущий сотрудник Института физики полупроводников им.
    599
  • 29/01/2020

    Новосибирские ученые исследуют действие холодной плазмы на раковые клетки

    Совместный проект Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Института химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН, Института теоретической и прикладной механики СО РАН направлен на развитие оригинального метода противораковой терапии с использованием холодной плазменной струи.
    1080
  • 02/09/2020

    РАН обсудит утрату права на экспертизу работы крупнейших научных и учебных центров

    ​Сегодня президиум Российской академии наук (РАН) соберется на «экстренное заседание», посвященное угрозе значительного урезания полномочий академии. Разработанный Минобрнауки проект правительственного постановления освобождает ряд организаций от обязательной научной экспертизы со стороны РАН — речь идет прежде всего о Курчатовском институте, а также подведомственных правительству МГУ, СПбГУ и НИУ ВШЭ.
    476
  • 11/08/2020

    Академгородок 2.0 – приобретения и потери: мнения экспертов

    Что удалось сделать для развития Новосибирского научного центра за последние годы и какие задачи остаются нерешенными? Три известных российских ученых инвентаризируют достижения и проблемы в статье, написанной для «Континента Сибирь»*.
    646