«Кремний-2016» - XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе
3156
С 12 по 15 сентября 2016 года в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН будет проходить конференция "Кремний-2016".
Конференция является продолжением серии научных конференций, посвященных кремнию. Свою историю она ведет с общероссийского совещания по кремнию, проведенного в МИСиС в 1999 году. С 2000 года параллельно с конференцией проводится Школа для молодых ученых и специалистов.
За эти годы мероприятие превратилось в основной форум, где ученые, представляющие академическое сообщество, ВУЗы и промышленность России и стран зарубежья, обсуждают актуальные проблемы по всему кругу вопросов, включающему в себя получение металлургического и поликристаллического кремния, рост и материаловедение объемных кристаллов и тонких пленок кремния и родственных материалов, а также физику, технологию и диагностику наноструктур на их основе.
В рамках Школы для молодых ученых и студентов будут прочитаны лекции, призванные ознакомить будущих ученых с наиболее важными и интересными проблемами в области получения кремния и создания современных приборов на его основе.
На конференции будут представлены приглашенные доклады ведущих ученых, работающих в области материаловедения кремния и его применений, а также устные и стендовые доклады.
Конференция будет проходить в курорт-отеле «Сосновка», расположенном в семи километрах от Новосибирского Академгородка, на берегу Бердского залива в живописном сосновом бору.
Основные направления:
- Материаловедение кристаллического кремния: получение и очистка металлургического кремния, процессы роста из расплавов, химического осаждения из газовой фазы, аппаратура для роста.
- Получение кремния солнечного качества и проблемы солнечной энергетики.
- Атомные процессы на поверхности, границах раздела и в объеме кремния: дефекты, примесные атомы, тонкие пленки.
- Тонкие пленки в кремниевой микроэлектронике: эпитаксиальные слои, кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low и high-k диэлектрик.
- Физика кремниевых квантово-размерных структур для нано- и оптоэлектроники, фотоники, спинтроники и логических элементов для квантовых вычислений.
- Нанотехнологии кремниевой электроники, включая, ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых структур, диагностику.
- Моделирование процессов роста кремния и структур на его основе, включая разработку алгоритмов и программного обеспечения.
- Кремниевая электронная компонентная база для наноэлектроники, оптоэлектроники, силовой электроники, светоизлучающих структур, фотоприемников, микромеханики и сенсорики.
Детальная информация на сайте.
Похожие новости
Третья российская конференция «Графен: молекула и 2D кристалл»
2227
«Кремний–2016»: ученые обсудили будущее электроники
2494
В новосибирском Академгородке прошла конференция «Графен: Молекула и 2D-кристалл»
2162
В Новосибирске состоялась Третья российская конференция «Графен: молекула и 2D-кристалл»
530
Молодые ученые обсудили актуальные проблемы полупроводниковых наносистем
495
Симпозиум с международным участием «Термодинамика и материаловедение»
393
В Новосибирске прошла конференция, посвященная направлениям в области спиновых технологий (SPCT-2018)
879
В Новосибирске обсуждают проблемы спиновой химии и физики
790
Четвертый семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы в рамках Кузнецовских чтений - 2017
3017
Вторая Российская конференция «Графен: молекула и 2D кристалл»
2375