XIV Российская конференция по физике полупроводников получила высокую оценку экспертов
281
В сентябре 2019 года Институт физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН стал основным организатором XIV Российская конференция по физике полупроводников. Впервые за время существования мероприятия был сделан акцент на прикладном направлении: ИФП СО РАН подготовил выставку своих разработок, нашедших применение в промышленности. Гости конференции увидели инфракрасные фотоприемники разных форматов на основе гетероэпитаксиальных наноструктур кадмий-ртуть-теллур на подложках из арсенида галлия и кремния; работающие в инфракрасном диапазоне фотоприемные модули размером 2000 на 2000 элементов; материалы для гибкой электроники на основе фторированного графена. Также посетители выставки познакомились с технологией изготовления гибких и легких солнечных батарей; оценили конструкцию молекулярного биосенсора, способного регистрировать единичные молекулы, благодаря чувствительному элементу — кремниевой нанопроволоке.
В этом году в работе мероприятия участвовали 340 человек, представив 358 устных и стендовых докладов. Большинство специалистов приехали из Москвы, Санкт-Петербурга, Новосибирска Нижнего Новгорода, Екатеринбурга, Черноголовки, Саранска, Красноярска, Томска, Владивостока и Троицка. Зарубежные ученые из Германии, Австрии, Бразилии и Кореи выступили с пленарными и приглашенными докладами.
Инстиут физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН стал основным организатором, принимая конференцию уже в третий раз с 1999 года. В разное время хозяевами мероприятия были Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (ФИАН), Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Институт физики микроструктур РАН в Нижнем Новгороде, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН и другие ведущие научные организации.
«Конференция проводилась на высоком научном и организационном уровнях. Работа членов оргкомитета, состоявшего из сотрудников ИФП СО РАН: председателя оргкомитета — академика РАН Александра Васильевича Латышева, заместителей — члена-корреспондента РАН Анатолия Васильевича Двуреченского и доктора физико-математических наук Александра Германовича Милёхина, ученого секретаря — кандидата физико-математических наук Софии Андреевны Аржанниковой, во время подготовки и проведения конференции заслужила самой высокой оценки. Научный совет по физике полупроводников РАН искренне благодарит членов оргкомитета, а также других сотрудников ИФП СО РАН, принимавших активное участие в организации конференции и обеспечении ее работы», — подчеркнул председатель научного совета по физике полупроводников РАН главный научный сотрудник ФТИ РАН член-корреспондент РАН Еугениюс Левович Ивченко.
Впервые за время существования мероприятия был сделан акцент на прикладном направлении: ИФП СО РАН подготовил выставку своих разработок, нашедших применение в промышленности. Гости конференции увидели инфракрасные фотоприемники разных форматов на основе гетероэпитаксиальных наноструктур кадмий-ртуть-теллур на подложках из арсенида галлия и кремния; работающие в инфракрасном диапазоне фотоприемные модули размером 2000 на 2000 элементов; материалы для гибкой электроники на основе фторированного графена. Также посетители выставки познакомились с технологией изготовления гибких и легких солнечных батарей; оценили конструкцию молекулярного биосенсора, способного регистрировать единичные молекулы, благодаря чувствительному элементу — кремниевой нанопроволоке; узнали детали работы двухканального мобильного оптико-электронного комплекса круглосуточного наблюдения, который работает, как в видимом спектральном диапазоне, так и в инфракрасном, что позволяет вести наблюдения в полной темноте; посетили лабораторию молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А2В6.
Соорганизаторами пятидневного научного мероприятия выступили Новосибирский государственный университет, Научный совет РАН по физике полупроводников, Отделение физических наук РАН при содействии Министерства науки и высшего образования РФ, Российского фонда фундаментальных исследований и курорта-отеля «Сосновка».
Следующая, XV Российская конференция по физике полупроводников пройдет через два года в Нижнем Новгороде. Символ конференции — деревянный ключ — директор ИФП СО РАН академик РАН Александр Латышев передал директору Института физики микроструктур РАН члену-корреспонденту РАН Захарию Фишеровичу Красильнику.
Источники
ИФП СО РАН провел XIV Российскую конференцию по физике полупроводников
XIV Российская конференция по физике полупроводников получила высокую оценку экспертов
Похожие новости
В Новосибирске обсуждают физику полупроводников
205
В новосибирском Академгородке проходит 10-я конференция «Физика ультрахолодных атомов»
1402
Круглый стол «Научное приборостроение для нанотехнологий. Современное состояние. Возможности развития»
1318
Всероссийская конференция «Физика ультрахолодных атомов» проходит в Новосибирске
1927
Сибирский ученый представил результаты исследований на конференции по когерентной и нелинейной оптике
2654
В новосибирском Академгородке проходит 9-я Всероссийская конференция «Физика ультрахолодных атомов»
1912
В Новосибирске пройдет конференция «Физика ультрахолодных атомов»
245
Молодые ученые обсудили актуальные проблемы полупроводниковых наносистем
312
«Декабрьские чтения» прошли в Новосибирске
1941
«Фотоника и квантовые оптические технологии» на МНСК-2017
2873